第二章半导体材料分解.ppt

第二章半导体材料 概述 了解原子的结构和结合是认识硅扮演着半导体材料重要角色的关键。掌握这些知识，为理解简单的半导体器件如何能充当复杂微芯片世界的一部分提供了基础。 习题 1.描述导体、绝缘体、半导体之间的电性差异 2.本征半导体、掺杂半导体分别是怎样定义的？为什么要进行掺杂？ 3.列举出至少3种半导体材料？最常用的半导体材料是什么？为什么使用普遍？ 4.化合物半导体来自周期表中的哪些族？ 5.砷化镓相对于硅的优缺点是什么？ 理论分析表明，SiC功率器件非常接近于理想的功率器件。可以预见，各种SiC器件的研究与开发，必将成为功率器件研究领域的主要潮流之一。但是，SiC材料和功率器件的机理、理论、制造工艺均有大量问题需要解决，它们要真正给电力电子技术领域带来又一次革命，估计至少还需要十几年的时间。 锗化硅 这样的结合把晶体管的速度提高到可以应用于超高速的对讲机和个人通信设施当中。 铁电材料 在对更快和更可靠的存储器研究中，铁电材料成为一种可行方案。叫做铁电随机存储器。 半导体具有以下的特殊性质： (1) 温度的变化能显著的改变半导体的导电能力。当温度升高时，电阻率会降低。比如Si在200℃时电阻率比室温时的电阻率低几千倍。可以利用半导体的这个特性制成自动控制用的热敏组件（如热敏电阻等），但是由于半导体的这一特性，容易引起热不稳定性，在制作半导体器件时需要考虑器件自身产生的热量，需要考虑器件使用环境的温度等，考虑如何散热，否则将导致器件失效、报废。 (2) 半导体在受到外界光照的作用时导电能力大大提高。利用这一特点，可制成光敏三极管、光敏电阻等。 (3) 在纯净的半导体中加入微量（千万分之一）的其它元素（这个过程我们称为掺杂），可使他的导电能力提高百万倍。这是半导体的最初的特征。例如在原子密度为5*1022/cm3的硅中掺进大约5X1015/cm3磷原子，比例为10-7（即千万分之一），硅的导电能力提高了几十万倍。 2.3掺杂半导体的电阻率 2.4电子和空穴的传导 N型硅 导带电子多于价带空穴 P型硅 N型半导体中的电子传导 P半导体中的空穴传导 受主：在半导体材料中形成P型导电的掺杂剂 施主：在半导体材料中形成N型导电的掺杂剂 掺杂半导体的特性 2.5电子和空穴的输运 1、热运动 电子或空穴在半导体中的热运动是随机的，又是被碰撞过程所中断。所以热运动最终并不产生净 移位或长时间内的输运，电子随机热运动的速度 是温度的函数，在室温下这一速度近似为 8*106cm/s. 2、漂移运动 当在样品上加有电场时，就会有一个附加速度分量与载流子的热运动相迭加，这个附加分量就是漂移运动。 电子的漂移运动方向与电场的方向相反。 当漂移速度与热运动速度相当时，电场对漂移速度的作用开始减小。 电子和空穴漂移速度随电场的增强而增加。但漂移速度的增长速率逐渐减缓，最后达到一个最大的漂移速度。 单位面积上的电子和空穴漂移电流密度分别为： 总的漂移电流密度为 3、扩散运动 上述两种运动是指半导体中浓度均匀的载流子运动，在浓度不均匀的情况下，载流子还会在浓度梯度▽n、 ▽p的影响下进行扩散运动，电子和空穴的扩散电流密度分别为： 总的电流扩散密度为： 2.6载流子的迁移率 迁移率：漂移速度与外加电场强度之间的比例常数。 载流子被电场加速的同时，将与晶格格点和晶格中的杂质碰撞产生散射，各种散射机构决定了载流子的迁移率的大小。 迁移率与扩散系数间满足 2.7硅中的载流子的寿命 在任一温度下，均可通过热过程在硅内部不断产生电子—空穴对，同时，电子—空穴对又通过复合不断消失。当电子—空穴对的产生与复合率完全相同时便达到了平衡。 如果用一个高能源照射本征半导体表面，电子—空穴对的数目将迅速增加。光照去去除后，电子和空穴浓度仍然相等，但两者的乘积却远远大于半导体在同一温度下的平均值 ，过剩的电子和空穴通过复合衰减，同时以光照和热的形式向晶格释放能量。 过剩电子—空穴对复合所需时间为载流子寿命。对 硅而言，载流子寿命可高达几百 ，低至几ps。 硅中的电子空穴对可通过以下几种途径进行复合： 1.直接复合，在导带、价带之间直接跃迁所产生的复 合 2.间接复合，借助硅中杂质能级进行复合 3.表面复合 2.8PN结 PN结的形成 内建电场 内建电场是由多子的扩散运动引起的，伴随着它的建立将带来两种影响： 一是内电场将阻碍多子的扩散 二是P区和N区的少子一旦靠近PN