GTR驱动与保护电路研究.docVIP

实验二、GTR驱动与保护电路研究 一、实验目的 1、掌握电力晶体管（GTR）的工作原理及特性； 2、掌握电力晶体管（GTR）的驱动电路的特点及调试方法。 二、实验原理及实验线路 电力晶体管也称巨型晶体管(Giant Transistor，简称GTR)，这是一种双极型大功率高反压晶体管。它具有自关断能力，并有开关时间短、饱和压降低和安全工作区宽等优点。近年来，由于GTR实现了高频化、模块化、廉价化，因此被广泛用于交流电机调速、不停电电源和中频电源等电力变流装置中，并且将在中小功率应用方面取代传统的晶闸管。 （1）驱动电路的例子来说明光耦合驱 当控制电路信号输入端A为高电平时，Vt导V2基极，V2导通，V3V4和V5导通，V6截止。V5的发射极电流流过R5、VD3，驱动电力晶体管V，使其C2充上左正右负的电压。当A点由高电平变为低电平时，V截止，光V2截止，V3导通，V4和V5截止，V6C2上所充电压通过V6、V的e和b、VD4放电，使V截止。 下面对该 图3-37光耦合①加速电容电路 当V5刚导通时，电源E通过R4、V5、C2、VD3驱动V，R5被C2短路。这样，可以实现驱动电流的过冲，并增加前沿陡度，加快开通。过冲电流幅值C2称为加速电容。驱动电流的稳态值由电源电压E、R4R5决定，选择R5的值时，应保证提供足够大的基极电流，使得在负载电流最时 ②抗饱和电路 图中箝VD2和电位补偿二极管VDVD2就会自动导通，使多余的驱Ubc≈O。V导通时始终处于临VD2也称为贝克箝流过箝位二极管的电流是没有意VD2加到前级驱动V5的基极，同时省去电位补偿二VD3，而用V的发射结代替VD 3-38 贝克箝 不管是上述哪一种抗饱和电路 ③截止反偏驱动电路 由图C2、V6、VS、VD4和R5构成。VC，所充电压由E和R4、R决V5截，V6导通时，C2先通过V6、V的发射结和VD4放V截止后，稳压管VS取代V的发射结C2连续放电。VS上的电压使VC2还通过R放电。C2除起到前面所说的加 在电路中的电力半导体器件关断时，由于电路中有电感存在，往往会在器件上产生很压和，对器件的安全运行带来很威胁。当器件是电力晶体管时，还会造dU／dt，通常设置缓冲电路。缓冲路还可以di／dt抑制电路，这种电路di／dt抑制电 图是基本的缓冲电路和di／dt抑制电路是开关过程集电极电压和di／dt抑制电路和缓冲电路时的波形。 在无缓冲电路的情况下，电力晶体管V开通时电流迅速上升，di／dt很大，关断时dU／dtV开通时缓冲电容Cs先通过Rs向V放电，电流先上一个台阶，以后因有di／dt抑制电路上的L，c的上升速度减慢。Ri、VD是V关断时为L中的磁场能量提供放电回路而设置的。缓冲电路电阻R不宜过小，V开通时Cs的放电电流过大。在V关时，负载电流通过VDs向Cs分流，减轻了VdU／dt和过电压。因为关断时电路中(含布线)电感的能量要释放，所以还 （A）基本的缓冲电路缓冲电路图 5 55 7 7 12 将RP1左旋到底。S4频率开关打在“通”的位置。此时，输入电阻R=150Ω，开启挂箱电源开关。开启电源S1、S3开关。用示波器同时测量 “54”和“55”，“8”和“12”的波形，观察输入、输出信号延迟时间，将数据填入表17。 表17 R=150Ω td tf ton ts tr toff 10ns 490ns 500ns 300ns 200ns 300ns 调节RP1，此时输入电阻R=RP1+150Ω ,观察输入、输出波形变化。 将“5”和“6”用导线连接，即将加速电容C2并接，观察输入、输出信号延迟时间，将数据填入表18。 表19 td tf ton ts tr toff 200ns 125ns 325ns 1000ns 9000ns 10000ns 注： td ： 表示输入输出的开通延时 tf ： 光耦开通时的波形下降时间 ton： 光耦导通时间 ts ： 光耦关断延时时间 tr ： 光耦关断时的波形上升时间 （2）驱动电路的输入、输出延时时间测试 关闭挂箱电源开关。拆除原接线。按表20接线。将“主电源电路”旋钮右旋到底；将RL“负载调节” 右旋到底。开启挂箱电源开关。开启“主电源电路”电源开关。 表20 54 5 5 6 7 55 13 14 10 14 16 18 12 19 12 7 22 51 50 18 23 20 用示波器同时测