电子工程物理基础v1.1(4-2)研讨.pptVIP

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  • 2016-08-06 发布于湖北
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电子工程物理基础v1.1(4-2)研讨

稳态时: 光 照 x 0 边界条件 中心谷: 卫星谷: 谷2(卫星谷): E-k曲线曲率小 1 电场很低 2 电场增强 3 电场很强 (2 ) Negetive differential conductance(负微分电导) NDC 在某一个电场强度区域,电流密度随电场强度的增大而减小。 负的微分电导(negetive differential conductance)。 NDC 热载流子 强电场 速度饱和 进入介质层 碰撞电离 3. 强电场效应对器件的影响 第4章 半导体中电子的状态 4.1 电子的分布 4.2 载流子的调节 4.3 载流子的复合 4.4 载流子的散射 4.5 载流子的漂移 4.6 载流子的扩散 4.7 载流子的完整运动 考察p型半导体的非少子扩散运动 沿x方向的浓度梯度 电子的扩散流密度 (单位时间通过单位 截面积的电子数) 4.6 载流子的扩散(Diffusion) 一.净扩散 Dn---电子扩散系数( electron diffusion coefficients) ——单位时间在小体积Δx·1中积累的电子数 扩散定律 在x附近,单位时间、单位体积中积累的电子数——积累率 稳态时,积累=损失 稳态扩散方程 三维 球坐标 一维求解 (1)

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