电子技术(模拟部分)-2-二极管及其典型应用研讨.pptVIP

当加反向电压时： 加正向电压时： (UDUT) PN结电流方程 ID UD (UDUBR) 反向击穿概念： PN结上所加的反向电压达到某一数值时（ UDUBR ） ，反向电流激增的现象。 雪崩击穿 当反向电压增高时，少子获得能量高速运动，在空间电荷区与原子发生碰撞，产生碰撞电离。形成连锁反应，象雪崩一样。使反向电流激增。掺杂浓度小的二极管容易发生。 齐纳击穿 当反向电压较大时，强电场直接从共价键中将电子拉出来，形成大量载流子,使反向电流激增。掺杂浓度大的二极管容易发生。 不可逆 击穿 热击穿 PN结的电流或电压较大，使PN结耗散功率超过极限值，使结温升高，导致PN结过热而烧毁。 可逆 击穿 击 穿 3.PN结击穿 ?势垒电容CB 当外加电压不同时，耗尽层的电荷量随外加电压而增多或减少，与电容的充放电过程相同。耗尽层宽窄变化所等效的电容为势垒电容。 注意：此时PN结为反偏） 4.PN结电容 注意：势垒电容和扩散电容均是非线性电容,并同时存在。外加电压变化缓慢时可以忽略，但是变化较快时不容忽略。 ?扩散电容CD 外加电压不同情况下，P、N区少子浓度的分布将发生变化，扩散区内电荷的积累与释放过程与电容充放电过程相同，这种电容等效为扩散电容。 如果在PN结加正偏电压UD，外电场将消弱内建电场对载流子扩散的阻挡作用。在外加电场满足一定条件下，注入到耗尽区内