磷扩散sanjing-1研讨.pptVIP

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  • 2016-08-06 发布于湖北
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磷扩散sanjing-1研讨

其它 关于四探针 使用环境:温度23度 温度影响电阻率,从面影响电阻。 p=p1(1+aT),p1为该材料0摄氏度时的电阻率, a叫电阻的温度系数,不同材料的电阻温度系数不同。 相对湿度≤65% 无高频干扰 无强光直射 不能测靠片子边缘太近的位置,因为边缘效应而使测试值不准确,没有参考价值。 用途:测量半导体材料的电阻率,方块电阻,导电膜方块电阻。 扩散间须知 影响扩散方块电阻的因素有:1.源量。2.时间。3.温度 影响扩散后硅片电阻测量精确因素有:1.光照2.温度3.高频干扰。 如遇磷源大量泄漏情况(如源瓶破碎),必须呼叫其他在场所有人并迅速撤离扩散间,全部出来后将门关上,同时通知相关人员,让经过专业训练的人来处理现场。 扩散间注意点 更换过源瓶后必须对源瓶进行检查,以防止源瓶老化.导致源瓶外泄!!!! 光生伏特效应 简单结构图 POCl3磷扩散原理 扩散基本工艺流程 扩散评定标准 注意事项 --肖海东 磷扩散 光伏效应 是指当半导体受到光照射时,半导体内部就会产生电流或电动势的现象。当电池表面受到光照射时,在电池内部产生的光生电子-空穴对,扩散到P-N结并受结电场影响而分开,电子移向N区,空穴移向P区,这样在P区和

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