第三章微波晶体管放大器2研讨.pptVIP

Step 3 主抗变换 * Initial states: THETAL= 90?@ 2.5GHz Z0L=SQRT(15*80)=35W Step 3 主抗变换 * Step 4 优化 * Goal: |S11|1/3 1.5GHz 4.5GHz 优化结果 * 8? 50W 45? 45? 90? 50W 50W 35W Initial Values * * * * 即使在LNA设计下GS=GOPT?GIN*的条件下，依然可以使用。 微波晶体管放大器 张 小 川博士 负载端与信源端的反射系数 负载端与信源端的反射系数分别为: 输入反射系数GIN * ZL 50W VS + - Transistor a1 b1 b2 a2 GIN a2 b1 GL S11 S22 S12 a1 b2 S21 GS=0 输入反射系数GIN * b1 = a1 S11 + a1 S21 GL S12 + a1 S21 GL (S22 GL) S12 + a1 S21 GL (S22 GL)2 S12 + a1 S21 GL (S22 GL)3 S12 +……………….. S11, S22 ， GL 反射系数. a2 b1 GL S11 S22 S12 a1 b2 S21 输入反射系数GIN * Important physical meanings： Input reflection coefficient GIN is function of GL，代表晶体管前端看入的反射系数或输入阻抗会随负载而变。 若输出接上50W负载，即GL=0 ? GIN= S11 若S12?0，晶体管成为双向(Bilateral)元件 若S12=0，晶体管则为单向(Unilateral)元件 若S12=0 ? GIN= S11 输出反射系数GOUT * ZS Transistor a1 b1 b2 a2 50W GOUT a1 a2 b2 b1 GS GL=0 S11 S21 S22 S12 输出反射系数GOUT * a1 a2 b2 b1 GS S11 S21 S22 S12 b2 = a2 S22 + a2 S12 GS S21 + a2 S12 GS (S11 GS) S21 + a2 S12 GS (S11 GS)2 S21 + a2 S12 GS (S11 GS)3 S21 +……………….. S11, S22 and GS are transient reflection coefficients. * Important physical meanings： Output reflection coefficient GOUT is function of GS，代表晶体管后端看入的反射系数或输出阻抗会随Source impedance而变。 若输入接上50W source，即GS=0 ? GOUT= S22 若S12?0，晶体管变成(Bilateral)元件，当input matching做好后，output matching已被改变。再度修正output matching时，input matching又被改变了………. 输出反射系数GOUT 电压驻波比 VSWR * 工业界一般微波电路要求标准： VSWR2.0 * VSWR Circles in Smith Chart VSWR2.0 |G|1/3 放大器设计的正确阻抗匹配技巧 Example: Input matching network design Step 1 決定“往前看”及“往后退”的方向 * Input Matching Network 50W GS Step 2 GS不可不可设为起点，必须视为目标。起点G1必设在50W原点。 G1 起始 目标 放大器设计的正确阻抗匹配技巧 Step 3 决定串并联的元件 * 50W GS G1 G2 GS G2 G1 起始 目标 Physical Characteristics of Complex Conjugate Matching Circuit * GS= GIN* GIN G1 G2 G1’ G2’ ZIN ZIN 50W 50W L1 L1 C2 C2 原始设计 验证 起始 起始 目标 目标 每个界面都是共轭匹配 Physical Characteristics of Complex Conjugate Matching Circuit * GS GIN G1 G2 G1’ G2’ If GS = GIN* then G2=G2’ G1=G1’ For lossless matching network only 每个界面都是共轭匹配 每个界面都不反射，也没有有能量的损耗，