第一章 集成电路制造工艺综述.ppt

* 1.1.4 埋层的作用 1.减小串联电阻（集成电路中的各个电极均从上表面引出，外延层电阻率较大且路径较长。 B P-Sub SiO2 光刻胶 N+埋层 N–-epi P+ P+ P+ SiO2 N–-epi P P N+ N+ N+ 钝化层 N+ C E C E B B 2.减小寄生pnp晶体管的影响（第二章介绍） * 1.1.5 隔离的实现 1.P+隔离扩散要扩穿外延层，与p型衬底连通。因此，将n型外延层分割成若干个“岛” 。 2. P+隔离接电路最低电位，使“岛” 与“岛” 之间形成两个背靠背的反偏二极管。 N+ N+ N--epi P N--epi P P-Sub (GND) P-Sub (GND) P-Sub (GND) B P-Sub SiO2 光刻胶 N+埋层 N–-epi SiO2 P+ P+ P+ SiO2 N–-epi P P N+ N+ N+ N+ C E C E B B 钝化层 * 1.1.6 其它双极型集成电路工艺简介 对通隔离：减小隔离所占面积 泡发射区：减小发射区面积 磷穿透扩散：减小串联电阻 离子注入：精确控制参杂浓度和结深 介质隔离：减小漏电流 光刻胶 B P-Sub N+埋层 SiO2 P+ P+ P+ P P N+ N+ N+ N+ C E C E B B * 1.1.7 习题 P14: 1.1 工艺流程及光刻掩膜版的作用