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1 扩散工艺培训资料 资料整理：扩散工艺组 2 1、半导体材料介绍 1.1半导体的定义 电阻率10-6称为导体，电阻率在1014-1022Ω.cm称为结缘体，电阻率在10-2-109Ω.cm称为半导体，按照其含杂质和成分分为本征半导体、杂质半导体（包括N型半导体和P型半导体）。 1.3半导体的掺杂 当硅单晶中掺入Ⅴ族元素，如磷、锑、砷等，就会形成N 型导电材料，而当硅中掺入Ⅲ族元素，如硼、铝等，就会形成P 型导电材料。 1.2半导体材料 目前已经广泛应用的半导体材料有：硒、锗、硅、砷化镓、锑化铟、碳化硅等。 1.4 硅片的种类 按照导电类型分为N型或P型。 按照晶体结构分为单晶、多晶、非晶。 按照制造流程分为研磨片、抛光片、外延片。 3 1.5 硅料生产流程 多晶硅由硅纯度较低的冶金级硅提炼而来，硅材料主要来源于优质的石英沙，也称为硅砂。将硅砂经过冶炼提纯从而得到硅。将硅砂转换为硅材料的工艺流程为： 硅砂硅铁（冶金硅含硅97%-99%）三氯氢硅硅烷多晶硅6（按照纯度不同，太阳能级和电子半导体级）多晶铸锭或拉制单晶切片 1.6 硅料纯度： 重金属铜、金、铁等和非金属碳都是极有害的杂质。 半导体硅中的杂质含量应该降到10-9（摩尔分数）的水平，太阳级硅中的杂质含量应降到10-6（摩尔分数）的水平 太阳能级硅料纯度：纯度为6N （99.9999%）以上 半导体级硅料纯度：纯度为12N（99.9999999999%） 1.7 太阳能电池制造多采用P型硅片 主要是由于杂质之间的分凝系数（分凝系数,是杂质在固液两相中浓度之比）的差异，因为硼容易掺杂得比较均匀，而用磷来掺杂时，往往一根单晶榜的头尾的浓度相差很大，是因为所掺的杂质磷从单晶的头部向尾部富集的缘故。 4 1.8不同的材料与电阻率曲线，p-Si在0.5-3Ω.cm的杂质浓度为1016-1017 5 1.9 半导体的光生伏特效应 当用适当波长的光照射非均匀半导体（P-N结等）时，由于内建电场的作用（不加外电场），半导体内部产生电动势（光生电压）；如将P-N结短路，则会出现电流（光生电流）。这种由内建电场引起的光电效应，称为光生伏特效应。 1.10光生伏特效应的应用 1.10.1制造太阳能电池，除硅外，GaAs电池应用到人造卫星和宇宙飞船上。 1.10.2辐射探测器，探测辐射或粒子的强度。 6 2、扩散间洁净度、温度、湿度 2.1洁净度：万级净化间，净化插片台(净化度：100级)、净化保护柜（净化度:100级） 2.2温度：23±2℃ 2.3湿度：50% 7 3、扩散掺杂源介绍 3.1 掺杂的种类 对于不同的电子器件，扩散工艺的掺杂源各不相同。按其形态分为 固态源：BN片，磷纸，硼纸，磷酸二氢铵（结晶状）。用于管式扩散。 液态源：POCL3，BBr3。用于管式扩散。 气态源：PH3，BH3，AsH3。用于离子注入。 3.2 POCL3工艺介绍 3.2.1 POCL3特性 POCl3是目前太阳能电池行业使用最多的一种掺杂源 无色透明液体，具有刺激性气味。如果纯度不高则呈红黄色。 比重为1.67，熔点2℃，沸点107℃，在潮湿空气中发烟。 POCl3很容易发生水解，POCl3极易挥发。 3.2.3 POCL3的化学反应 POCl3是目前太阳能电池行业使用最多的一种掺杂源 3.2.4 POCL3化学反应在环境中的副产物 白色的粉末P2O5会与空气中的水分以生化学反应： P2O5+H2O====2HPO3（偏磷酸） 对呼吸道有刺激性。眼接触或致灼伤，造成永久性损害。皮肤接触可致严重灼伤。 3.2.5 太阳能电池其它磷扩散 除了目前的三氯氧磷（POCl3）液态源扩散外，还有以下方式扩散 喷涂磷酸二氢铵水溶液后（链式）扩散 丝网印刷磷浆料后（链式）扩散（选择性发射极扩散） 3.2.6 固溶度 在一定的温度下,杂质在硅中有一个最大的溶解度,其对应的杂质浓度,称该温度下杂质在硅中的固溶度。 杂质的固溶度决定杂质在半导体表面的浓度。 一种元素在其它某种物质中溶解有一定限度，其溶解度大小与两种物质的结构，分子间力的大小和类型有关。不同杂质在硅中的固溶度差异很大。通常两种元素的原子半径越大，溶解度越小。原子外层电子数差别越大，溶解度也越小。 砷在硅中的溶解度最大，可高达9.0x1019，比磷高3 倍，比锑高一个数量级。 B在硅中的固溶度大(1000℃时达到5×1020 11 4、PN结原理介绍 4.1 PN结 在N型和P型半导体的交界面处存在有电子和空穴浓度梯度，N区中的电子就向P区渗透扩散，扩散的结果是N型区域中邻近P型区域一边的薄层内有一部分电子扩散到N型中去了。由于这个薄层失去了一些电子，在N区就形成带正电荷的区域。同样，P型区域中邻近N型区域一边的薄层内有一部分空穴扩散到N型区域一边去了。由于这