2012年12级模拟电路期未考试题.docVIP

2012级电子高职班电子线路期未考试题 姓名 考号 考试时间：60分钟，总分：100分 单向选择题（每题3分） 1、晶体三极管内部是由（ ）构成 A、一个PN结B、两个PN结C、两块N型半导体D、两块P型半导体 2、三极管处于放大状态时（ ） A、发射结正偏，集电结反偏 B、发射结正偏，集电结正偏 C、发射结反偏，集电结反偏 D、发射结反偏，集电结正偏 3、输入特性曲线反映三极管（ ）之间关系的曲线 A、Uce与Ib B、Uce与Ic C、Ube与Ic D、Ube与Ib 4、三极管的主要特性是具有（ ）放大作用 A、电压 B、电流 C、电阻 D、单向导电 5、画放大器的直流通路时，应该将电容看成是（ ） A、开路 B、短路 C、电池组 D、通路 6、测量三极管时，如果红表笔从万用表的正极出来，黑表笔从万用表的负极出来，当固定黑表笔，分别移动红表笔时，两次测量电阻都为1200?，则三极管为（）型 A、硅PNP管 B、锗PNP管 C、锗NPN管 D、硅NPN管 7、工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为 （ ） A. 83 B. 91 C. 100 8.为得到单向脉动较小的电压，在负载电流较小，且变动不大的情况下，可选用A. RCπ滤波 B. LCπ滤波C. LC滤波D. 不用滤波 O，则每只整流管中的电流ID为________。 A. IO/2　　　B. IO C．IO/4 D.U2 10. 在图示电路中，UZ1 2V，UZ2 5V，正向导通时UD＝0.7V，其输出电压为________V。 A. 2.7 V B. 7 V C. 5.7 V D. 3.7 V 11、三极管的ICEO大, 说明其 . （A 工作电流大 （B 击穿电压高 （C 寿命长 （D 热稳定性差 12、本征半导体掺入五价元素成为 （A 本征半导体 （B N型半导体 （C） P型半导体 13、图示电路中，稳压管的稳压值为UZ1 2V，UZ2 5V，稳压管正向导通时UD＝0.7V，则输出电压U0为_____。 A. 0.7V B. 7 V C. 5 V D. 2 V 14、整流的目是________。 A.将交流变为直流； B.将高频变为低频； C.将正弦波变为方波 15、直流稳压电源中滤波电路的目的是________。 A. 将交直流混合量中的交流成分滤掉 B.将高频变为低频 　C. 将交流变为直流 三、填空（每空1分） 1、PN结具有 的特性。 2、硅三极管发射结的正向偏置电压一般为 V 3、三极管有三个电极分别称为 、 、 。用字母 、 、 表示。 4、对于NPN管起电流放大作用的外部条件是VC VB VE ；而对于PNP管起电流放大作用的外部条件是VC VB VE 。（填大于号或小于号） 5、晶体三极管的特性曲线主要有 特性曲线和 特性曲线。 6、某放大电路的电压增益为100 dB，即电压放大倍数为 倍。 7、 放大器的静态工作点过高可能引起______失真，过低则可能引起____ __失真。 8、晶体三极管的输出特性曲线表明三极管由于所加外部工作电压不同而有三种不同的工作状态即 、 、 。 9、．在电容滤波和电感滤波中，　　　滤波适用于大电流负载，　　　　滤波的直流输出电压高。 10、单相桥式整流电路中，流过每只整流二极管的平均电流是负载平均电流的______ 11、放大器的五个性能指标是 、 、 、 、 。 三、判断题（每题2分） 1、无论哪种三极管，当处于放大工作状态时，b极电位总是高于e极电位。（ ） 2、三极管的发射区和集电区是由同一类半导体（N型或P型）构成的，所以e极和c极可以互换使用。（ ） 3、晶体三极管的穿透电流I ceo的大小不随温度而变化。（ ） 4、三极管的β值随温度的变化而变化，温度升高，β值减小。（ ） 5、对于NPN管VBE 0，VBE VCE则该管处于饱和状态（ ） 四、计算题（17分） 1、在如图所示的放大电路中，已知 ?50， 2、如图单相桥式整流电容滤波电路，若要求UO 20V，IO 100mA，试求： （1）变压器副边电压有效值U2、整流二极管参数IF和URM； （2）电容开路时输出电压的平均值； （3）负载电阻开路时输出电压的大小。 2