02-7晶体缺陷2解说.pptVIP

1. 线缺陷：具体形式是位错，属一维缺陷。直径约在3～5个原子间距、长几百到几万个原子间距、管状原子畸变区。 2. 位错的起因：是晶体生长不稳定或机械应力﹐引起部分滑移。 3. 位错的实质：位错线就是晶体中已滑移区和未滑移区在滑移面上的交界线，即晶体中某处有一列或若干列原子发生有规律的错排现象。 4. 柏格斯矢量（b）: 表示由位错引起的晶格中的相对原子位移。 柏格斯矢量的物理意义 是描述位错实质的重要物理量，反映出柏氏回路包含的位错所引起点阵畸变的总累计。 又称位错强度，它也表示出晶体滑移时原子移动的大小和方向。 根椐柏格斯矢量b与位错线取向的异同，位错分为刃型位错、螺型位错和由前两者组成的混合位错三种类型。 正刃型位错（左）负刃型位错（右） 2. 刃位错的攀移：位错线在垂直其滑移面方向上的运动，结果导致晶体中空位或间隙质点的增殖或减少。 只有刃位错有攀移。 * * * * * * Chapter1, Chemistry of Materials 2005, ceszzh@zsu.edu.cn 洛阳师范学院 Chapter 2 Structure of Materials 材料的结构（7） Chapter 2 Structure and property of materials 2.4