MOS基本原理驱动课件.pptVIP

当uGS＞0V时→纵向电场 →将靠近栅极下方的空穴向下排斥→耗尽层。 2.N沟道耗尽型MOSFET 特点： 当uGS=0时，就有沟道，加入uDS，就有iD。 当uGS＞0时，沟道增宽，iD进一步增加。 当uGS＜0时，沟道变窄，iD减小。 3 .场效应管的主要参数 (1) 开启电压UT UT 是MOS增强型管的参数，栅源电压小于开启电压的绝对值, 场效应管不能导通。 等效电路 小信号模型分析法 在开关电源设计中，用高频模型分析 很伟大的一个公式！！ * MOS结构以及驱动技术 1 MOS场效应管基本知识 2 基本数学方程 3 LC暂态过程 4 MOS数学模型 N型半导体 多余电子 磷原子 硅原子 多数载流子——自由电子 少数载流子—— 空穴 + + + + + + + + + + + + N型半导体 施主离子 自由电子 电子空穴对 一、MOS场效应管基本知识 在本征半导体中掺入三价杂质元素，如硼、镓等。 空穴 硼原子 硅原子 多数载流子—— 空穴 少数载流子——自由电子 － － － － － － － － － － － － P型半导体 受主离子 空穴 电子空穴对 P型半导体 MOS场效应管 BJT是一种电流控制元件(iB~ iC)，工作时，多数载流子和少数载流子都参与运行，所以被称为双极型器件。 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 FET分类： 绝缘栅场效应管 结型场效应管 场效应管（Field Effect Transistor简称FET）是一种电压控制器件(uGS~ iD) ，工作时，只有一种载流子参与导电，因此它是单极型器件。 FET因其制造工艺简单，功耗小，温度特性好，输入电阻极高等优点，得到了广泛应用。 绝缘栅场效应三极管 金属氧化物半导体场效应管 ( Metal Oxide Semiconductor FET)，简称MOSFET。分为： 增强型 ? N沟道、P沟道 耗尽型 ? N沟道、P沟道 1.N沟道增强型MOS管 （1）结构 4个电极：漏极D， 源极S，栅极G和 衬底B。 符号： （2）工作原理 当uGS=0V时，漏源之间相当两个背靠背的 二极管，在d、s之间加上电压也不会形成电流，即管子截止。 再增加uGS→纵向电场↑ →将P区少子电子聚集到 P区表面→形成导电沟道，如果此时加有漏源电压，就可以形成漏极电流id。 ①栅源电压uGS的控制作用 在栅极下方的SiO2层中掺入了大量的金属正离子。所以当uGS=0时，这些正离子已经感应出反型层，形成了沟道。 定义： 夹断电压（ UP）——沟道刚刚消失所需的栅源电压uGS。 （2）夹断电压UP UP 是MOS耗尽型和结型FET的参数，当uGS=UP时,漏极电流为零。 （3）饱和漏极电流IDSS MOS耗尽型和结型FET, 当uGS=0时所对应的漏极电流。 （4）输入电阻RGS 结型场效应管，RGS大于107Ω，MOS场效应管, RGS可达109～1015Ω。 （5） 低频跨导gm gm反映了栅压对漏极电流的控制作用，单位是mS(毫西门子)。 （6） 最大漏极功耗PDM PDM= UDS ID，与双极型三极管的PCM相当。 OFF ，截止状态 ON，导通状态 二、基本数学方程 基本的高数公式， 一阶其次方程求解。 带入初始条件，确定K值。 二阶电路中有二个动态元件,描述电路的方程是二阶线性微分方程。一般LC电路就可以使用该方程求解。 电路中有多个动态元件，描述电路的方程是高阶微分方程。 三、R、L、C暂态过程 1.RC电路的零输入响应 i S(t=0) + – uR C + – uC R 已知 uC (0－)=U0 uR= Ri 2.RC电路的零状态响应 i S(t=0) US + – uR C + – uC R uC (0－)=0 + – 解答形式为： 特解（强制分量） 的特解 通解（暂态分量） 的通解 3. RL电路的零输入响应 iL S(t=0) US L + – uL R R1 + - 基本关系 4. RL电路的零状态响应 iL S(t=0) US + – uR L + – uL R + — 三要素法分析一阶电路 5. 二阶电路的响应 零输入响应：初始状态电容上有电压，放电过程。 零状态响应：初始状态电容上无电压，充电过程。 初始：uC(0+)=U0 i(0+)=0 以电容电压为变量： 电路方程