第四章扫描电子显微镜及电子探针技术分析.ppt

* 电子光学系统包括： 电子枪、电磁透镜、扫描 线圈、样品室 * 电子枪发出的电子束，以栅极聚集后，在加速电压的作用下，经二到三个电磁透镜组成的光学系统，电子束会聚成一个很细的电子束射在样品表面。 在末级透镜上安装有扫描线圈，在其作用下使电子束在样品表面扫描，产生各种信息，分别用相应的收集器收集，经放大送到显像管的栅极上，调制其亮度。 注意：扫描线圈的电流与显像管上相应的亮度是同步的。 * 强磁透镜 聚焦作用 弱磁透镜 焦距长 空间大、方便装入探测器 * Secondary detector (ETD) * 扫描电子显微镜中各电磁透镜都不作成象透镜用，它们的功能只是把电于枪的柬斑(虚光源)逐级聚焦缩小，使原来直径约为50mm的束斑缩小成一个只有数个纳米的细小斑点，要达到这样的缩小倍数，必需用几个透镜来完成。 扫描电子显微镜一般都有三个聚光镜：前两个聚光镜是强透镜,可把电子束光斑缩小;第三个透镜是弱透镜,具有较长的焦距。 布置这个末级透镜(习惯上称之为物镜)的目的在于使样品室和透镜之间留有一定的空间，以便装入各种信号探测器。 * 　　扫描电子显微镜中照射到样品上的电子束直径愈小，就相当于成象单元的尺寸愈小．相应的分辨率就愈高。采用普通热阴极电子枪时，扫描电子束的束径可达到6nm左右。若采用六硼化镧阴极和场发射电子枪，电子束束径还可进—步缩小。 * ? Filament ? Filament Heater ?Wehnelt Cap（氧化物阳极帽） ? Anode ? High Voltage between anode and filament Electron Gun * 扫描电镜采用逐点成像的方法，把样品表面不同的特征按顺序、成比例地转换成视频信号，完成一帧图像。 传统场发射电子枪原理图 Field emission electron gun emitter extraction electrode anode extraction power supply acceleration power supply flashing power supply * 圆锥阳极型场致发射电子枪示意图 传统场发射电子枪原理图 场发射扫描电镜进展及其物理基础　廖乾初 * * 三.SEM的主要性能 1.放大倍数 M=l/L 其中l为荧光屏长度，L为电子束在试样上扫过的长度。 放大倍数的调节 电流。 电流减小，在试样上移动的距离变小，则放大倍数增大。放大倍数连续可调。 1.放大倍数 M=l/L 其中l为荧光屏长度，L为电子束在试样上扫过的长度。 放大倍数的调节 电流。 电流减小，在试样上移动的距离变小，则放大倍数增大。放大倍数连续可调。 2.景深 扫描电镜景深比较大，成像富有立体感，特别适合做粗糙样品表面的观察和分析，如断口分析、裂纹分析。 * 3.分辨率 分辨率是扫描电镜的主要性能指标之一。理想情况下，二次电子像的分辨率等于电子束斑直径。常用来做为衡量扫描电镜性能的主要指标。 四.样品制备 除了生物样品外，其它样品的制备均比较简单，尺寸和形状要求与扫描电镜的型号有关。如：大多数情况下，对于不导电的样品，必须经过喷金、银等重金属或碳等手段进行处理，否则不能观察。目前，新型的扫描电镜已实现对不导电样品的直接观察。放入样品室前必须用超声波清洗。 * 注意事项 （1）金属样品腐蚀后放置的时间应越短越好，以防表面氧化； （2）断口分析时，断口应保护好且不宜长期放置； （3）不导电的样品要与电镜操作人员协商是否需要喷镀导电材料。 * 五.二次电子衬度原理及其应用 二次电子信号主要用于分析样品的表面形貌。 1. 二次电子成像原理 二次电子只能从样品表层5-10nm范围内被入射电子激发出来。表层以下的二次电子只能被样品吸收。 二次电子的强度与其（产额）有关。？ 与原子序数没有明显的关系 与微区表面形貌有明显的关系 对微区形貌的几何形状十分敏感 * 二次电子成像原理示意图 说明：a）入射束与表面垂直时，二次电子的产额最少; b）入射束有效深度增加，则二次电子产额增加； 　　　c) 超过5-10nm深度的被吸收而无法逸出表面，如A区域。 A区域中也会产生自由电子，但能量较低及平均自由程较短 * c.二次电子形貌衬度形成原理 二次电子形貌衬度形成示意图 B面的倾斜度最小，二次电子