电子技术电工学2西科大.docVIP

电工电子技术复习 下 一．填空题 1．纯净的半导体又称为 …..半导体，用的最多的半导体是（ ）和（ ），它们都具有（ ）结构，在纯净半导体中掺入三阶元素后形成（ ）半导体，掺入五价元素后形成（ ）半导体，半导体受（ ）的影响最大。 2．半导体二极管按结构分为（ ）、（ ）、（ ）三类。工作在反向击穿电压处的二极管称为（ ）二极管。 3．晶体管又称为（ ），常见的有（ ）和（ ）二类，通常把晶体管的输出特性曲线分为（ ）、（ ）、（ ）三个区域。晶体管基本放大电路多采用（ ）放大电路，电路中的电容一方面起到（ ）作用，另一方面起到（ ）作用，在直流通路中由于静态工作点的设置不当，会引起输出交流信号的（ ）和（ ）失真，在对交流信号放大时，希望输入阻抗（ ）越好，而输出阻抗（ ）越好，从晶体管本身来讲它是一种（ ）放大器件，但在实际应用中主要是（ ）放大和（ ）放大。 4．在对运算放大器电路进行分析计算时，通常采用二个基本依据，分别是（ ）和（ ）的概念，虽然运算放大器的电压放大倍数很大，但其输出电压不会超过（ ）电压。 5．在许多场合我们都要用到直流稳压电源，将交流电变换为直流电的过程通常有四个环节，分别是（ ）、（ ）、（ ）、（ ）。在整流过程中常用的整流电路有（ ）和（ ）二种。在滤波器电路中常用（ ）、（ ）、（ ）三种。在直流稳压电路中常用的有（ ）稳压电路、（ ）稳压电路、（ ）稳压电路和（ ）电源。 6．在数字电路中，常用的逻辑有（ ）、（ ）、（ ）。在 实际应用中，由集成电路组成的基本逻辑门电路通常采用组合方式，有（ ）电路、（ ）电路、（ ）电路三种。 二．判断题 1．纯净的半导体就是本征半导体。 （ ） 2．P型半导体的多数载流子是电子，少数载流子是空穴。 （ ） 3．本征半导体与金属导电机理的最大区别在于半导体同时存在二种载流子。 （ ） 4．PN结加上反向电压时就没有任何电流通过。 （ ） 5．组成二极管的PN结面积越大，二极管的工作频率越高。 （ ） 6．晶体三极管是一种电压放大器件。 （ ） 7．晶体三极管是一种电流放大器件。 （ ） 8．晶体三极管是一种用小电流控制大电流的器件。 （ ） 9．NPN型三极管基本放大电路在线性放大区工作时，应当发射结正向偏置，集 电结反向偏置。 10．三极管基本放大电路的直流通路计算是为放大电路设置合适的静态工作点。 （ ） 11．三极管放大电路的输出信号出现饱和失真是因为静态工作点设置太低。 （ ） 12．在共发射极基本放大电路中，为稳定静态工作点，一般在发射极处接一电阻。 （ ） 13．运算放大器的输入电压无论多大，输出电压都不会超出电源电压。 （ ） 14．单相桥式整流电路的效率比单相半波整流电路高一倍。 （ ） 15．电容滤波电路结构简单，外特性也好。 （ ） 三．选择题 1．P型半导体是在本征半导体中加入微量的（ ）元素构成。 A．三价 B。四价 C。五价 D。 六价 2．PN结加正向电压时，其正向电流是（ ）。 A．多子漂移而成 B。少子漂移而成 C。多子扩散而成 D。少子扩散而成 3．点接触型二极管适合于（ ）的工作场合。 A．高频大功率 B。高频小功率 C。低频大功率 D。低频小功率 4．稳压二极管的正常工作状态是（ ）。 A．正向导通状态 B。反向截止状态 C。反向击穿状态 D。任意状态 5．NPN型三极管组成的放大电路在工作时，已知VVE1.2?，VVB8.2?， V VC4.4?，则三极管处于（ ）。 A．放大区 B。饱和区 C。截止区 D。击穿区 6．NPN型三极管组成的放大电路在工作时，已知VVE1.2?，VVB8.2?， V VC1.2?，则三极管处于（ ）。 A．放大区 B。饱和区 C。截止区 D。击穿区 7．处于截止状态的三极管，其工作状态为（ ）。 A．发射结正偏，集电结正偏 B。发射结反偏，集电结正偏 C．发射结反偏，集电结反偏 D。发射结正偏，集电结反偏 8．共发射极基本放大电路可以放大的信号是（ ）。 A．直流信号 B。交流信号 C。直流和交流信号 D。任意信号 9．运算放大器的输入电阻（ ）。 A．越小越好 B。 越大越好 C。合适就好 D。与信号相匹配 10．运算放大器的输出电阻（ ）。 A．越大越好 B。越小越好 C。合适就好 D。与负载相匹配 四．会分析二极管电路的钳位作用及输出波形。 五．会分析计算三极管基本放大电路的三个直流参数和三个交流参数的计算。 六．会计算利用运算放大器组成的加减法电路。 七．会对给定的组合逻辑