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第八章 刻蚀(Etching) §8.1 引言 §8.2 湿法腐蚀技术 §8.3 干法刻蚀技术 §8.1 引言 在淀积薄膜后，需要通过刻蚀，选择性地除去一些薄膜，以留下需要的图形。 a)刻蚀在横向(lateral)和纵向(Vertical)同时发生。 b)会出现光刻胶的钻蚀(erode) c)刻蚀剂会腐蚀衬底从而改变衬底形貌 刻蚀特性 刻蚀的方向性(directionality) 刻蚀的选择性(Selectivity) Rf :对薄膜(film)的刻蚀速率 Rm：对掩膜版(mask)或衬底的刻蚀速率 一般要求Sfm~25-50之间比较合理。 S值的大小和工艺参数相关： 湿法刻蚀过程：和腐蚀剂化学、浓度、温度等 有关 干法刻蚀过程：和等离子体参数、等离子体化学、气压、气体流量等有关 过腐蚀 overetch 如超过Ws=Wr这一点还继续进行腐蚀，就出现过腐蚀 ? 一般情况，都要求过腐蚀，以保证所有窗口干净 ? 有些情况需过腐蚀，弥补薄膜的不均匀性 ULSI对腐蚀的要求 得到满意的剖面(desired profile) 最小的过腐蚀(undercut) 或偏差 (bias) 选择性好（Selectivity) 均匀性好，可重复性好 (Uniform and reproducible) 对表面和电路损伤最小(Minimal damage to