05. 内部存储器.ppt

例题： 步骤4：计算校验位（偶校验） 将参与计算的数据按位异或加计算得到校验位 C1 =D1 ⊕ D2 ⊕ D4 ⊕ D5 ⊕ D7 = 0⊕1⊕0⊕0⊕1 = 0 C2 =D1 ⊕ D3 ⊕ D4 ⊕ D6 ⊕ D7 = 0⊕0⊕0⊕0⊕1 = 1 C3 =D2 ⊕ D3 ⊕ D4 ⊕ D8 = 1⊕0⊕0⊕1 = 0 C4 =D5 ⊕ D6 ⊕ D7 ⊕ D8 = 0⊕0⊕1⊕1 = 0 位的位置 12 11 10 9 8 7 6 5 4 3 2 1 位的编号 1100 1011 1010 1001 1000 0111 0110 0101 0100 0011 0010 0001 数据位 1 1 0 0 0 0 1 0 校验位 0 0 1 0 例题： 假定从存储器读数时，计算出的校验位0111，那么所存数据哪一位出错。 计算故障字（由存储的校验码和重新计算的校验码按位异或加得到）：0111 ⊕ 0010 = 0101 所以得出所存数据在第5位 位的位置 12 11 10 9 8 7 6 5 4 3 2 1 位的编号 1100 1011 1010 1001 1000 0111 0110 0101 0100 0011 0010 0001 数据位 1 1 0 0 0 0 1 0 校验位 0 0 1 0 * * * S.J.T.U. 上海交通大学 存储器位元操作 半导体存储器类型 存储器类型 种类 可擦除性 写机制 易失性 随机存储器(RAM) 读-写存储器 电，字节级 电 易失 只读存储器(ROM) 只读 存储器 不能 掩模 不易失 可编程ROM (PROM) 电 可擦PROM(EPROM) 读多次 存储器 紫外线，字节级 电可擦PROM(EEPROM) 电，字节级 快闪存储器 电，块级 半导体存储器 RAM (Random Access Memory) 读/写 易失性 暂时存储 DRAM/SRAM 动态RAM位元 动态RAM 用电容充电来存储数据 电容漏电 需要周期充电(刷新) 构造简单，成本较低 速度较慢 用于主存储器 1状态 C1为高电平 C2为低电平 T1、T4截止 T2、T3导通 0状态 C1为低电平 C2为高电平 T1、T4导通 T2、T3截止 静态RAM位元 静态RAM 通过开关电路存储数据 没有漏电现象 不需要充电(刷新) 更复杂的构造 每位体积较大，成本更高 速度较快 用于Cache SRAM vs. DRAM 都是易失的 需要持续供电 动态 结构简单，体积较小 密度更高 成本更低 需要刷新 适用于大容量存储器 静态 速度更快 适用于Cache ROM的类型 在制造过程中固化数据 对于小批量的生产，成本较大 可编程(一次) PROM 使用特殊设备写入 以读为主(Read Mostly) 可擦PROM (EPROM) 通过紫外线擦除 电可擦PROM (EEPROM) 灵活擦写 写入速度较慢 快闪存储器(Flash Memory) 写入速度较快 以块为单位写入 ROM 地址译码方式 地址译码方式 地址译码电路能把地址线送来的地址信号翻译成对应存储单元的选择信号。地址译码方式有单译码和双译码两种。 单译码方式 单译码方式又称字选法，所对应的存储器是字结构的 双译码方式 把K位地址线分成接近相等的两段，一段用于水平方向作X地址线，供X地址译码器译码；一段用于垂直方向作Y地址线，供Y地址译码器译码。X和Y两个方向的选择线在存储体内部的每个记忆单元上交叉，以选择相应的记忆单元。 单译码方式 32条字线w0 - w31。某一字线被选中时，同一行中的各位b0 – b7就都被选中，由读/写电路对各位实施读出或写入操作。 字结构、单译码方式RAM 双译码方式 32条字线X0 - X31选中某一行， Y0 - Y31选中某一列，最终选中的是行和列