微波CVD设备-东...docVIP

微波CVD设备 技术方案 TMMPS-201C型微波CVD设备是参考国外一些同类机型设计和研制的一款1KW/2450MHz多用途、高稳定中等压强微波等离子体综合实验加工设备。系统几个主要部分如框图所示。 TMMPS-201C 微波等离子体CVD系统示意图 它具有性能先进、功能完善、结构合理、使用方便、安全可靠等特点。特别适合应用于金刚石等多种薄膜的化学气相沉积（CVD）；材料表面处理和改性；低温氧化物的生长等高科技领域。 系统组成和主要特点： 1 微波功率100W～1kW连续可调，最高大功率可达1kW；稳定度优于±1％；控制性能好；内部智能模块提供方便地手动程控， 采用磁控管灯丝降压跟踪技术，无电容电感滤波的高精度电压反馈调整及磁场线圈电路稳定技术；采用完善的线路安全闭锁控制系统，使该系统工作寿命长，电气性能优良，安全可靠，操作简单方便。 2 系统采用由BJ-26波导和1kW功率量级的高性能微波环行器，手动三销钉调配器，带反射波取样的水负载以及外部连接波导组成的优良微波传输系统。 它确保反射波对磁控管的良好隔离，使之稳定工作，又能在等离子体负载大范围变化时（VSMR-1.5～30），能方便地调节最佳匹配，达到微波功率的最佳传输，并通过反射波取样，以数字显示反射功率大小和实时工作状态。 3 下注式（DOWNSTREAM）微波反应腔。 它由工作于TM012或TM013模式的圆柱腔，带可调同轴耦合探针的门钮式同轴波导耦合器、板式石英窗构成的微波放电室所组成。适当调节波导短路活赛L2，以及同轴耦合探针L3，可在很宽的运行范围内高效率地把微波功率耦合给等离子体，在等离子体放电室中产生高密度、高电离度、大面积极均匀稳定的微波放电。我们在总结过去经验基础上，将在腔体结构和尺寸以及所有调节机构方面做精心设计和技术改进，确保在气压50乇、微波功率1KW时，微波腔体系统能正常工作，微波等离子体火球稳定于基体上，位置居中，等离子体火球覆盖40mm基体（低气压应更大），即第二场强最大处。腔体系统不存在打火现象。 4 样品支架调节系统：具有基片冷却功能。 5 3路气体流量控制系统。 1、50 SCCM ; 2、100 SCCM ; 3 200 SCCM 设备机柜中，气路短、紧凑、控制调节方便。 二、系统总体技术参数 1. 微波源和系统 工作频率： 2450±50MHz 输出功率： 100W～1KW连续可调，最大功率可达1kW 功率稳定度： （在额定功率电平）优于±1% 输出波导接口： BJ-26带FD-26标准法兰 控制方式： 手动编程控制 ,实现全程序控制。 输入电源： 380V±10% 三相四线 冷却水流量： V 4L/min 系统驻波系数： VSWR1.5 2. 微波的反应腔 尺寸和工作模式： φ88mm×250mm ; 调节功能： 耦合波导短路活塞： L2 0～120mm 耦活探针深度： L3 0～20mm 石英窗尺寸： 特制 3. 气路系统： 3路MFC控制（可按用户要求选配） 4．基片冷却系统: 风冷或水冷 基片温度调节范围:500℃～1200 5. 测温方式：红外测温 6．微波反射功率小于10%，反射功率可测。 7．微波泄漏:：符合国家标准。 8.主要配置清单 序号 部件名称 规格型号 数量 1． 微波源 1kw、高稳定微波源 1台 2. 微波传输系统 包括--环行器、调配销钉 BJ26转弯波导，数个波导 1套 3. 模式变换器 配φ88mm圆柱腔体 1套 4. 微波反应腔 φ88mm 、圆柱腔体 1套 5. 样品支架调节系统 高真空轴向调节样品架 φ45mm 1套 6. 气体流量及其控制显示系统 50/100/200sccm 4路 7. 电气控制系统 手动控制 1套 单价：25万、台 交货期：4个月