3525芯片原理分析.pptx

2017-3-31 1 SG3525芯片原理分析 任亮亮SX1303113 SG3525 是美国硅通用半导体公司（Silicon General）推出用于驱动N 沟道功率MOSFET的控制芯片。 工作电压8V-35V; 内部精度为±1%的5.1 V基准稳压电源; 振荡器，频率范围100HZ-400KHZ; 死区时间可以控制; PWM 琐存器使关断电路 更可靠的工作; 欠压锁定; 软启动; 推挽输出电路，灌电流/拉 电流能力超过200mA; 2017-3-31 2 3525的总体介绍 3525内部框图 2017-3-31 3 2017-3-31 4 3525内部框图介绍 误差放大器 振荡器模块 PWM 信号产生及分相电路 输出驱动 基准电源模块 软启动 保护 基准电压源是一个三端稳压电路，其输入电压VCC 可在（8～35）V内变化，通常采用+15V，其输出电压VST＝5.1V，精度±1%，采用温度补偿，作为芯片内部电路的电源，也可为芯片外围电路提供标准电源，向外输出电流可达400mA，设有过流保护电路。 误差放大器由两级差分放大器构成，电压反馈信号 从端子1 接至放大器反相输入端，放大器同相输入端接基准电压。在引脚9与引脚2 之间接入不同类型的反馈网络，可以构成比例、比例积分和积分等类型调节器。该误差放大器共模输入电压范围是1. 5V-5. 2V。 通常8脚接一个电容，上电过程中，由于电容两端的电压不能突变，因此与软启动电容接入端相连的PWM 比较器反向输入端处于低电平，PWM 比较器输出高电平。此时，PWM 琐存器的输出也为高电平，该高电平通过两个或非门加到输出晶体管上，使之无法导通。只有软启动电容充电至其上的电压使引脚8 处于高电平时，SG3525 才开始工作。 当Shutdown（引脚10）上的信号为高电平时，PWM琐存器将立即动作，禁止SG3525 的输出，同时，软启动电容将开始放电。如果该高电平持续，软启动电容将充分放电，直到关断信号结束，才重新进入软启动过程。欠电压锁定功能同样作用于输出级和软启动电路。 2017-3-31 5 模块工作原理 2017-3-31 6 振荡电路 振荡器输出经过T触发器后输出为频率减半的互补方波，这些方波和PWM 信号输入到或非门逻辑电路，当所有的输入为负时，输出为正。这样两个输出每半周期交替为正，其宽度和PWM 信号的负脉冲相等。脉冲很窄的时钟信号输入到逻辑或非门电路，可使两个门的输出同时有一段低电平，以产生死区时间。 2017-3-31 7 芯片工作过程 输出末级采用推挽输出电路，驱动场效应功率管时关断速度更快.11 脚和14 脚相位相差180度，拉电流和灌电流峰值达200mA。 2017-3-31 8 输出级电路 当多个3525需要同步的时候，可将主片的4脚输出信号连到从片的3脚。其同步要求是外来的脉冲信号的频率略大于自身的RC振荡频率。 2017-3-31 9 如何同步 当输出晶体管开通时，R1 上会有电流流过，R1 上的压降将使VT1 导通。因此VT1 是在SG3525 内部的输出晶体管导通时间内导通的，因此其开关频率等于SG3525 内部振荡器的频率。 2017-3-31 10 单端变换器输出 如图VT1 和VT2 分别由SG3525 的输出端A 和输出端B 输出的正向驱动电流驱动。电阻R2 和R3 是限流电阻，是为了防止注入VT1 和VT2 的正向基极电流超出控制器所允许的输出电流。C1 和C2 是加速电容，起到加速VT1 和VT2 关断的作用。 2017-3-31 11 推挽式输出 由于SG3525 的输出驱动电路是低阻抗的，而功率MOSFET 的输入阻抗很高，因此输出端A 和输出端B 与VT1和VT2 栅极之间无须串接限流电阻和加速电容，就可以直接推动功率MOSFET。 2017-3-31 12 驱动功率MOSFET SG3525 还能够直接驱动半桥变换器中的小功率变压器。如果变压器一次绕组的两端分别直接接到SG3525 的两个输出端上，则在死区时间内可以实现变压器的自动复位。 2017-3-31 13 直接驱动小功率变压器 2017-3-31 14 谢 谢!