3.5(zm2011)_光电成像器件.ppt

3.5 光电成像器件（光电图像传感器） 3.5.1 光电图像传感器概述 3.5.2 摄像原理与电视制式 3.5.3 变像管和像增强器（像管） 3.5.4 电荷耦合器件（CCD） 3.5.5 互补金属氧化物半导体（CMOS） 一、摄像原理 一. 像管结构和工作原理 二. 主要特性参量 三. 变像管 四. 像增强器 像管 （变像管和像增强器） 五.变像管和像增强器应用 －－在军事上的应用 二、线阵CCD图像传感器 1.电荷存储 2. 电荷耦合—传输或转移 对于单层金属化电极结构，为了保证电荷定向转移，驱动脉冲至少需要三相：当信号电荷自?2电极向?3电极转移时，在?1电极下面形成势垒，以阻止电荷倒流。 如果想用二相脉冲驱动，就必须在电极结构中设计并制造出某种不对称性，即由电板结构本身保证电荷转移的定向性。产生这种不对称性最常用的方法，是利用绝缘层厚度不同的台阶以及离子注入产生的势垒。 （2） 电注入：通过输入结构对信号电压或电流进行采样，然后将信号电压或电流转换为信号电荷注入到相应的势阱中。 4.电荷的检测（输出） 6.线型CCD摄像器件的两种基本形式 一个完整的CCD器件由光敏元、转移栅、移位寄存器及一些辅助输入、输出电路组成。 CCD工作分为如下几个步骤： 1）在设定的积分时间内，光敏元对光信号进行取样，将光的强弱转换为各光敏元的电荷量。 2）取样结束后，各光敏元的电荷在转移栅信号驱动下，转移到CCD内部的移位寄存器相应单元中。 3）移位寄存器在驱动时钟的作用下，将信号电荷顺次转移到输出端。 4）输出信号可接到示波器、图象显示器或其他信号存储、处理设备中，对信号再现或进行存储处理。 三、面阵CCD 四、CCD的特性参数 2. 驱动频率 4. 光电转换特性 存储于CCD的像敏单元中信号电荷包是由入射光子被硅衬底材料吸收，并被转换成少数载流子（反型层电荷）形成的，因此，它具有良好的光电转换特性。 5. 动态范围 6. 暗电流 7. 分辨率 五、典型线阵CCD （2）TCD1209D的基本结构 （3） TCD1209D的驱动电路 （4）TCD1209D的基本工作原理 TCD1209D的脉冲波形如图所示。 （5） TCD1209D的特性参数 2. 双沟道CCD器件TCD1206SUP （3） TCDl206SUP的驱动电路 （5）TCD1206SUP的特性参数 （2）温度特性 线阵CCD在 扫描仪中的应用 线阵CCD在图像扫描中的应用 线阵CCD摄像机可 用于彩色印刷中的 套色工艺监控 线阵CCD用于字符识别 CCD数码显微镜拍摄的金属表面显微照片 Ultimate sensitivity: it is possible to measure single photons. UV extended spectral sensitivity down to 200 nm. The most important: an extremely short shutter. 可实现单光子探测的科学级CCD 可变的、线性的增益控制 芯片增益放大技术，超低温制冷，最大限度减弱暗电流噪声，无可比拟的信噪比。 实现高速与弱光探测的结合 ICCD通过光电阴极实现光电转换，峰值量子效率不超过50%；EMCCD采用ccd芯片，背照式峰值量子效率可达90% ICCD的微通道板和荧光屏降低空间分辨率；EMCCD空间分辨率只取决于象素大小，比ICCD分辨率高，适合生命科学领域 ICCD增强器中有几百上千伏高压，高增益下引入较强信号（可能很弱）导致象增强器损毁；EMCCD没有这么严格的要求，尽量避免饱和 ICCD象增强器成本高，价格高，第三代ICCD进出口管制；EMCCD相对较好 ICCD具有纳秒级的门宽实现高时间分辨；EMCCD只能实现毫秒级时间分辨 一、概 况 目前，随着集成电路工艺水平的发展，CMOS图像传感器的各项指标也得到了很大的提高，1989年以后，出现了“主动像元”（有源）结构。它不仅有光敏元件和像元寻址开关，而且还有信号放大和处理等电路，提高了光电灵敏度，减小了噪声，扩大了动态范围，使它的一些性能参数与CCD图像传感器相接近，而在功能、功耗、尺寸和价格等方面要优于CCD图像传感器，所以应用越来越广泛。 数码相机、摄像机、可拍照手机、可视门铃、PC机的微型摄像头、指纹鉴定等 医学诊断：药丸式摄像机（camera-in-a-pill） CMOS视频摄像头 CMOS图像传感器的发展历史 1969：NASA喷气推进实验室JPL，制造成功第一片CMOS图像传感器； 19