AlN低温烧结助剂对陶瓷结构和性能的影响.doc

Harbin Institute of Technology AlN低温烧结助剂对陶瓷结构和性能的影响 班 级： 姓 名： 学 号： 哈尔滨工业大学 AlN低温烧结助剂对陶瓷结构和性能的影响 摘要：本文对单一烧结助剂，复合烧结助剂，多壁碳纳米管烧结助剂（MWNTs）对AlN陶瓷结构与性能的影响进行了概述。 关键词：烧结助剂 低温烧结 热导率 致密度 众所周知，AlN陶瓷具有十分优异的性能，主要表现为以下几个方面[： (1) 与Al2O3陶瓷相比，热导率较高，是Al2O3的5-10倍； (2) 与BeO陶瓷相比，无毒、无害，有利于环保； (3) 热膨胀系数(4.3×10-6/℃)与半导体Si材料((3.5-4.0)×10- 6/℃)匹配，确保电子元件不因热效应而失效； (4) 电绝缘性能好，介质损耗低； (5)可进行多层布线，实现封装的高密度和小型化。 AlN陶瓷现已广泛应用于电子、冶金、机械、军工等诸多领域。但AlN属共价键晶体，通常需要在高温高压下烧结。由于烧结成本太高，很难推广应用。近年来，为了减少能耗、降低成本，开展了低温烧结研究。所谓低温烧结就是在1600~1700 ℃之间实现致密烧结，同时还要去除AlN晶格内的氧杂质，般采用添加碱土金属化合物及稀土化合物，通过液相烧结实现烧结致密化。助烧剂能在烧结初期和中期显著促进AlN陶瓷烧结，并且在烧结的后期从陶瓷材料中部分挥发，从而制备纯度及致密化程度都较高的AlN陶瓷材料及制品。在此过程中，助烧剂的种类、添加方式、添加量等均会对AlN陶瓷材料及制品的结构与性能产生显著程度的影响，是AlN陶瓷材料制备技术的核心内容之一，具有深入开展研究工作的必要。为此，本文总结了几种烧结助剂对陶瓷结构和性能的影响。 下表1为本文中烧结助剂的编号和配比，此后文中不一一赘述。如不特殊说明，烧结温度为1600℃，烧结时间4h。 表1 烧结助剂的编号和配比 配比 编号 AlN(wt％) Y2O3(wt％) CaF2(wt％) Li2CO3(wt％) MWNTs(wt％) AW 100 — — — — AY 97 3 — — — AC 98 — 2 — — AYC 95 3 2 — — AYCL 93 3 2 2 — AMYC 94 3 2 — 1 AM 99 — — — — 单一烧结助剂 AlN陶瓷烧结选用的单元烧结助剂主要有碱土或稀土金属的氧化物、氟化物或碳化物等。 表2 烧结助剂 相对密度（％） AY 89.1 AC 92.7 添加单一烧结助剂试样烧结产物的相对密度，从表2中可以看出，添加单一烧结助剂效果不明显，致密度较差。在1600℃低温情况下，添加Y2O3效果并不明显，因为此时其只与AI2O3发生固相反应，促进烧结动力不足。AC在1600℃烧结4h相对密度达92．7％，因为CaF2与AlN表面的AI2O3在126℃左右反应形成液相，促进了烧结，并且生成的氟化物易挥发，促进致密化。 图1 为AY在1600℃烧结4h的XRD图谱 图2 为AC在1600℃烧结4h的XRD图谱 图1为AY在1600℃烧结4h的XRD图谱。由图可知，烧结体的主晶相为AlN，析出的晶界相为Y3Al5O12，这说明烧结助剂Y2O3与AlN表面的AI2O3在烧结过程中形成Y-Al-O化合物，在1600℃形成Y3Al5O12相，发生如下化学反应： 5Al2O3+3Y203→2YaAI5012 将Al2O3固结在晶界上，从而减少氧扩散进入AIN晶格并能驱除固溶在晶中的氧, 最终促进陶瓷的烧结并提高热导率。 从AC在1600℃烧结4h的XRD图谱（图2）可知，主晶相为AlN，第二相为CaAll2019，说明CaF2与A12O3发生反应，CaF2在烧结过程中形成CaF2-A12O3低共熔液相，从而促进了烧结。发生一系列复杂反应，生成Ca-AI-O化合物和Al的氟化物，后者在1600℃时已经挥发，在XRD图谱中没有相关衍射峰，前者最终形成CaAll2019。CaF2与Al2O3反应生成了具有挥发性或可升华的物质，促使生成的第二相流动到三叉晶界处，因此在Y2O3的基础上添加适量的CaF2，有利于形成液相促进烧结，提高热导率。 使用单一烧结助剂的致密度和导热率不是很高，达不到要求。 二．复合烧结助剂 图3 AW、AYC和AYCL在1600℃烧结4h的XRD图谱 图3 为AW、AYC 和AYCL 在1600℃烧结4h 的XRD图谱。由图可以看出，将坯体置于含有少量碳粉的AlN 埋粉中于N2气氛下烧结，可有效避免AlN 在烧结过程中的氧化，未添加烧结助剂的试样AW，其烧结产物为