ch2位错-2.5 位错的动力学性质.pptVIP

Ch2 位错 2.1 位错理论的产生 2.2 位错的几何性质 2.3 位错的弹性性质 2.4 位错与晶体缺陷的相互作用 2.5 位错的动力学性质 2.6 实际晶体中的位错 2.1 位错理论的产生 一、晶体的塑性变形方式 二、单晶体的塑性变形 三、多晶体的塑性变形 四、晶体的理论切变强度 五、位错理论的产生 六、位错的基本知识 2.2 位错的几何性质 一、位错的几何模型 二、柏格斯矢量 三、位错的运动 四、位错环及其运动 五、位错与晶体的塑性变形 六、割阶 2.3 位错的弹性性质 一、弹性连续介质、应力和应变 二、刃型位错的应力场 三、螺型位错的应力场 四、位错的应变能 五、位错的受力 六、向错 七、位错的半点阵模型 2.4 位错与晶体缺陷的相互作用 一、位错间的相互作用力 二、位错与界面的交互作用 三、位错与点缺陷的交互作用 2.5 位错的动力学性质 位错的动力学是研究位错运动的动力、阻力、速度以及增殖。 一、位错的萌生 二、位错的增殖 三、滑移的动力学 四、攀移的动力学 解决这些问题是理解晶体中位错的来源、范性变形的实际过程以及许多受位错影响的物理性质的必要前提。 一、位错的萌生 （一）位错是热力学不稳定的晶体缺陷 （二）位错的均匀形核 （三）位错的不均匀形核 （四）晶体中形成位错的三种途径 （一）位错是热力学不稳定的晶体缺陷 前人曾计算过，对于单位长度位错线： 熵S≈﹣2kT/b, 应变能E≈Gb2，由于Gb3的典型值为5eV，而kT在300K时为1/40eV，因此位错引起的自由能G0。所以，无应力晶体中热力学稳定的位错密度应为0。 然而，除晶须以及精心制备的硅等较大晶体材料等个别例子外，所有晶体中都存在位错。 退火晶体中的位错密度约为104mm﹣2，经大量范性变形后增至108﹣9mm﹣2。 形变初期，位错运动倾向于在单一相互平行的滑移面内进行，其后在其它滑移系统中继发滑移，不同系统中运动的位错会相互作用，快速增殖导致加工硬化。 （二）位错的均匀形核 设在某一驱动力F作用下形成半径为R的位错圈： 形成能＝位错圈自身的能量－驱动力所作的功 假设，在无能量涨落时，晶体中要能自发萌生位错圈，则有τc≈μ/10 ，这是一个很高的值，接近晶体的理论强度； 实际屈服应力τ≈μ/1000，取ε=2b，则Rc≈500b，临界形核功Uc≈650μb3,典型金属大约是3KeV。而热涨落的能量大约是1/40eV，故屈服应力下均匀形核显然是不可能的； 以上讨论表明，位错萌生是一个相当困难的过程，实际晶体往往借助应力集中产生位错的非均匀萌生。 （三）位错的不均匀形核 一种常见的非均匀位错萌生过程 棱柱挤压：当压头很有力地压在晶体的表面时，可以萌生一系列棱柱位错圈而生成压痕。 如图高度为nb的坑对应于n个伯格斯矢量为b的棱柱圈，此过程的能量关系为作用于压头的力P所作的功＝生产棱柱圈的能量＋增加的表面能，即 其中D为压头直径，若D很小，则局部正应力可很大，因而在一般的P值，即可达到萌生位错圈所需要的应力。 （四）晶体中形成位错的三种途径 二、位错的增殖 （一）弗兰克－瑞德源(F-R滑移源) （二）双交滑移位错源 （三）攀移位错源（Bardeen-Herring） Production of Dislocations Example:? Frank Read Source – dislocation pinned at both ends. What is the force on the curved segment causing