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半导体物理 光电工程学院微电子教学部 冯世娟 fengsj@cqupt.edu.cn 第一章 半导体中的电子状态 1.1 半导体的晶格结构和结合性质 1. 预备知识 晶体 由周期排列的原子构成的固体 1.1 半导体的晶格结构和结合性质 格点：空间（一维或多维）点阵中的点（结点） 晶列：通过任意两格点所作的（晶列上有一系列格点） 晶向：在坐标系中晶列的方向（确定晶向的方法待定）用晶向指数表示；如[110]。 晶面：通过格点作的平面。一组平行的晶面是等效的，其中任意两晶面上的格点排列是相同的，且面间距相等。晶面用晶面指数（密勒指数）表示，如（111），（100）…… 1.1 半导体的晶格结构和结合性质 晶胞 反映晶体周期性的重复单元，有两种选取方法： 在固体物理学中——选取周期最小的重复单元，即原胞（固体学原胞） 在晶体学中——由对称性取选最小的重复单元，即晶胞（结晶学原胞） 1.1 半导体的晶格结构和结合性质 基矢：确定原胞（晶胞）大小的矢量。原胞（晶胞）以基矢为周期排列，因此，基矢的大小又成为晶格常数。 晶轴：以（布拉菲）原胞（或晶胞）的基矢为坐标轴——晶轴 格矢：选某一格点为原点O，任一格点A的格矢为 为晶轴上的投影，取整数， 为晶轴上的单位矢量。 1.1 半导体的晶格结构和结合性质 晶向指数及晶向：格矢在相应晶轴上投影的称作晶列指数，并用以表示晶向，即格矢所在的晶列方向。 表示为[l1 l2 l3]，投影为负值时，l的数字上部冠负号。等效晶向用 表示。 晶面与晶面指数：通过格点作的平面，取与各晶轴的截距的倒数来表示。 表示为（hkl），等效晶面用{ }表示。 晶向与晶面的关系：在正交坐标系中，晶面指数与晶向指数相同时，晶向垂直于晶面。 1.1 半导体的晶格结构和结合性质 2. 几种晶格结构 1.1 半导体的晶格结构和结合性质 3. 金刚石结构和共价键 1.1 半导体的晶格结构和结合性质 金刚石结构 每个原子周围有四个最邻近的原子，这四个原子处于正四面体的顶角上，任一顶角上的原子和中心原子各贡献一个价电子为该两个原子所共有，并形成稳定的共价键结构。 1.1 半导体的晶格结构和结合性质 1.1 半导体的晶格结构和结合性质 金刚石结构 两套面心立方沿体对角线互相位移1/4套构而成。 与面心立方相同，但是复式结构，包含两个原子。 1.1 半导体的晶格结构和结合性质 1.1 半导体的晶格结构和结合性质 （100）面上的投影 1.1 半导体的晶格结构和结合性质 1.1 半导体的晶格结构和结合性质 4. 闪锌矿结构和混合键 1.1 半导体的晶格结构和结合性质 5. 铅锌矿结构 1.1 半导体的晶格结构和结合性质 1.2 半导体中的电子状态和能带 原子的能级和晶体的能带 玻耳的氢原子理论 氢原子能级公式 氢原子第一玻耳轨道半径 这两个公式还可用于类氢原子（今后用到） 意义?! 1.2 半导体中的电子状态和能带 量子力学对玻耳理论的修正 量子力学认为微观粒子（如电子）的运动须用波函数来描述，经典意义上的轨道实质上是电子出现几率最大的地方。电子的状态可用四个量子数表示。 （主量子数、角量子数、磁量子数、自旋量子数） 能级存在简并 1.2 半导体中的电子状态和能带 电子共有化运动 原子中的电子在原子核的势场和其它电子的作用下，分列在不同的能级上，形成所谓电子壳层 ?不同支壳层的电子分别用1s;2s,2p;3s,3p,3d;4s…等符号表示，每一壳层对应于确定的能量。 当原子相互接近形成晶体时，不同原子的内外各电子壳层之间就有了一定程度的交叠，相邻原子最外壳层交叠最多，内壳层交叠较少。 1.2 半导体中的电子状态和能带 1.2 半导体中的电子状态和能带 1.2 半导体中的电子状态和能带 1.2 半导体中的电子状态和能带 硅、锗晶体的能带 1.2 半导体中的电子状态和能带 1.2 半导体中的电子状态和能带 2. 半导体中电子的状态和能带 1.2 半导体中的电子状态和能带 布洛赫曾经证明，满足式(1-13)的波函数一定具有如下形式： 式中k为波矢， 是一个与晶格同周期的周期性函数，即： 式中n为整数。 1.2 半导体中的电子状态和能带 1.2 半导体中的电子状态和能带 布里渊区 求解薛定谔方程，得到电子在周期场中运动时其能量不连续，形成一系列允带和禁带。一个允带对应的K值范围称为布里渊区。 1.2 半导体中的电子状态和能带 1.2 半导体中