半导体物理学4.pptVIP

第四章 电荷输运现象 Hall效应中 ∴由上两式得 代入可得 （4－43） ∵ ∴ ∴代入 E y 可得： 即 ，仿此 3°影响： RH ∝ 1/n 或 1/p ∵ E y ∝ v x（4－42）， jx 一定时，n(P)↑→ vx↓,→ RH 越小 对长度l、宽度w、厚度d的样品，Hall电压（电势差）为： ∵ ∴ （4－44） 4. Hall角： 1°定义：由于 Ey 存在，电流和电场不同，两者夹角称为Hall 角. (4－45) ∵ jx = σE x 可见在所选右手坐标系下，Hall角 θ 与 Hall 系数 RH 一样 对P型：θ 为正值( E偏向Y轴正向)；对N型：θ 为负值( E 偏向Y 轴负向) 2°意义：∵ ； 将 代入（4－45）可得： P型： ；N型： (4－46) 即 （或 ）为磁场作用下，载流子矢量绕磁场转动的角速 度ω（回旋频率） 弱场条件下： BZ 较小， tgθ ≈ θ （B 作用下） ∴ Hall 角数值上等于驰豫时间内速度矢量绕 B 转过的角度 且弱场条件，θ n 和θ p 较小，μB 1 对N型样品，实测 二.两种载流子时的Hall效应： 思路：通过分析在相继两次散射之间载流子在外场 作用下的运动，再根据驰豫时间（自由时间）的分 布规律，求出载流子在多次散射中的平均运动 1.推导： 设电场Ex，磁场BZ ，则电子运动方程为(单个电子) X方向： Y方向： 对 x 方向的第二项 ，而弱场下 μnBz 1 ∴ Ey Ex 可忽略 ∴ x 方向简化为： ；(考虑碰撞，左式不能简单积分) 对 y 方向，利用平均漂移速度 近似代替vx 即由 参前节 ∴ y 方向： 上式右边均为常数，∴积分得 (右一Ey) 同理对空穴有： ∴总电流： 稳定时 （4－47） 利用 和 RH 的定义可得 （4－48） 若定义电子和空穴迁移的比为 b=μn /μp ，则上式变为 （4－49） 注意：电子和空穴同时参与导电时，稳定后虽 y 方向总电流为零，但电子和 空穴在 y 方向各自的电流并不为零 将（4－47）代入 和 可得： 由 ， ，代入得： （稳定时） 2. RH ~ T