半导体工艺总复习资料解读.ppt

光刻分辨率 常用的淀积薄膜有哪些？有集成电路中的作用？薄膜淀积方法一般分为哪两类？ 单晶硅（外延）—器件；多晶硅—栅电极；SiO2—互连介质；Si3N4—钝化；金属—互联线。 薄膜淀积一般分两类：化学气相淀积(CVD)和物理气相淀积(PVD)。 物理气相淀积PVD：蒸发，溅射 化学气相淀积CVD：常压化学气相淀积 （APCVD）；低压化学气相淀积 （LPCVD）；等离子增强化学气相淀积（PECVD）；高密度等离子化学气相淀积（HDPCVD） 什么是PECVD?PECVD主要应用在哪里，为什么？ 等离子增强化学气相淀积（PECVD）(Plasm Enhanced CVD) PECVD经常用于金属布线后的介质隔离层的生成，因为： 1.PECVD技术利用低压条件下，通过射频电场产生气体放电形成等离子体来激活反应气体分子增强化学反应，从而降低了化学气相淀积的温度； 2.等离子增强CVD最重要的特征是能在更低的温度(100～450℃)下淀积出高性能的薄膜； 试述二氧化硅、氮化硅、硅、铝的湿法刻蚀方法？ 1 SiO2的湿法腐蚀? SiO2 + 6HF = H2SiF6 + 2H2O 腐蚀液由HF（40%）和NH4F水溶液混合组成，通常腐蚀SiO2在HF中加入NH4F, 称为BHF或BOE； 2 Si3N4的腐蚀? 硬Si3N4可用180℃ H3PO4腐蚀，由SiO2作掩蔽； 3 Si 的湿法腐蚀? 常采用HF、HNO3和(CH3COOH)的混合物(HNA) ；? Si + HNO3 + 6HF = H2SiF6 + HNO2 + H2O + H2 4 铝腐蚀? 腐蚀液种类很多，效果较好的是由磷酸、硝酸、冰醋酸和水组成的混合腐蚀液。其中： ? 磷酸主要起腐蚀铝的作用，约占腐蚀液的80％； 2Al + 6H3PO4 → 2Al(H2PO4)3 + 3H2↑ ? 硝酸与铝反应生成Al(NO3)3,增加硝酸可提高腐蚀速度，但含量过高会影响光刻胶的抗蚀能力； ? 醋酸则能降低腐蚀液的表面张力，增加硅片与腐蚀液的浸润效果，提高腐蚀的均匀性，同时具有缓蚀作用； 为什么氮化硅常用作钝化层？ 对H2O与Na+的强烈阻挡作用,是一种理想的钝化层; 刻蚀工艺有哪两种类型？ 湿法腐蚀技术 , 干法刻蚀技术 常用的集成电路封装 DIP dual in-line package双列直插式封装 QFP Quad Flat Package 四面扁平封装 COB chip on board 板上芯片封装 BGA ball grid array球栅阵列封装 LCC Leadless chip carrier无引脚芯片载体 PGA pin grid array针栅阵列封装 PLCC plastic leaded chip carrier 带引线的塑料芯片载体 QFN quad flat non-leaded package四侧无引脚扁平封装 SOP small Out-Line package 小外形封装 SOT Small Outline Transistor package 小尺寸晶体管封装 专用名词英汉对照 N阱CMOS工艺基本流程图 N阱CMOS工艺基本流程图 N阱CMOS工艺基本流程图 N阱CMOS工艺基本流程图 * 摩尔定律 1965年，Gordon Moore提出了一个关于集成电路发展的预测： “The complexity for minimum component cost has increased at a rate of roughly a factor of two per year”. 后来在1975年被修正为： The number of components per IC doubles every 18 - 24 months. “集成电路中的元件数每18～24个月翻一倍。” 列举几种常采用的杂质并说明它们是N型还是P型？ P型：硼B，铝Al，镓Ga，铟In N型：磷P，砷As，锑Sb 常用的掺杂方法有几种？ 合金法；扩散法；离子注入法 在集成电路发展过程中半导体材料锗被硅取而代之的原因。 a.硅的储量丰富：硅在地壳中含量约占27％，仅次于氧。形成普通沙粒的二氧化硅，就是最常见的硅化合物。 b.很好的物理化学特性：更高的熔化温度允许更宽的工艺容限，硅1412℃的熔点远高于锗937℃的熔点，可以承受高温工艺。机械强度较高，无毒，利于加工生产。 c.更宽的工作温度范围：锗的Eg=0.67eV，操作温度仅能到达90℃，漏电流较大。硅Eg=1.12eV，可以用于比锗更宽的温度范围（可高于200℃），更小的漏电流，更高的可靠性。 d.硅可以自然