半导体器件物理之半导体材料资料解读.ppt

半导体器件物理 主 要 内 容 第一章 半导体物理基础 晶体结构，能带论，晶格振动，半导体统计，非平衡载流子输运, 器件工作基本方程 第二章 半导体接触 P-N结 异质结 金属-半导体接触 半导体绝缘体 M I S 主 要 内 容 第三章 典型半导体器件 3.1 双极结型晶体管 基本工作原理，输出特性，等效电路，异质结双极晶体管(HBT) 3.2 场效应晶体管 结型场效应晶体管, MOSFET的基本工作原理和电荷控制模型,C-MOS器件的基本工作原理,异质结场效应晶体管,非晶薄膜晶体管 3.3 光电子器件 LED和半导体激光器,光探测器,太阳能电池,集成光电子学 3.4 专用微波器件 隧道二级管,IMPATT器件,体效应器件 第四章 新型半导体器件 超晶格器件，共振隧道器件，其他新型半导体 周期表中与半导体有关的部分 K空间等能面----标志晶体中载流子的E(k)关系 简单立方晶体的等能面是以k0为中心的球面。mx* = my* = mz* 锗、硅-----旋转椭球。横向有效质量：mt* ；纵向有效质量：ml* 结合具体问题的有效质量：态密度和电导有效质量。 电子的电导有效质量： 电子的态密度有效质量： §1.4 热平衡时的载流子浓度 本征硅 n型(磷，施主)掺杂 p型(硼，受主)掺杂 Si的三种基本键图形 1.4.1 本征半导体 导带内被占据的能级数 导带底附近，非简并半导体，电子密度： 同理，价带顶附近，非简并半导体，空穴密度： 本征半导体： 本征载流子浓度 （1） （2） (1)=(2) 本征半导体费米能级 非常接近带隙中央 可得到本征载流子浓度： Ge，Si 和GaAs的本征载流子浓度与温度的关系。 质量作用定律. 本征温度Ti： 载流子浓度=本底浓度 本征温度与本底浓度的关系 1.4.2 施主和受主 施主能级：该能级上填充一个电子后呈中性，而撤空后带正电。 受主能级：该能级若为空则呈中性，若填充一个电子则带负电。 Ge，Si和GaAs中各种杂质的实测电离能。 Ge，Si和GaAs中各种杂质的实测电离能。 浅能级；对电导有重要影响。 深能级：对复合和俘获有作用。 多重能级 1.4.3 费米能级 本征半导体的费米能级接近在带隙的中央， 热平衡时本征半导体的能带、态密度、费米分布和载流子浓度。 掺杂半导体呢？根据载流子浓度和类型可以确定费米能级的位置。 n型和p型半导体的能带、态密度、费米分布和载流子浓度。 考虑n型半导体： 施主杂质浓度：ND 电中性条件： 总的负电荷（电子）=总的正电荷（空穴+电离施主） 施主杂质能级的基态简并度 杂质能级未被占据几率，即电离几率 对于给定的NC,ND, NA,NV,EC,ED, EA,EV,T，费米能级能够唯一确定。 考虑p型半导体： 受主杂质浓度：NA 施主杂质浓度为1015 cm-3的 Si样品，电子密度与温度的关系。 100K，载流子主要由杂质电离提供，?杂质电离区。 100~500K，杂质渐渐全部电离，在很大温度范围内本征激发的载流子数目小于杂质浓度，载流子主要由掺杂浓度决定。?饱和电离区。 500K，本征激发的载流子浓度大于掺杂浓度，载流子主要由本征激发决定。?本征区。 禁带宽度和杂质电离能的悬殊差别，载流子浓度在低温主要是杂质电离提供，高温是本征激发。 对于凝固区的斜率，视补偿条件而定： 对于部分补偿半导体, 当 近似无补偿情况 在不同的温度下,可能会有不同的斜率 ,有拐折出现 对于饱和区:在宽的温度范围(例如上图100~500K)载流子密度保持 恒定. 仍有质量作用定律: 电中性条件: 对n型半导体: 有: 对p型半导体: 有: 根据以上的两个方程,得到费米能级位置的变化： 硅的费米能级与掺杂浓度和温度的关系。带隙与温度的关系。 §1.5 载流子输运 迁移率 电阻率 霍尔效应 复合过程 1.5.1 迁移率 声学声子迁移率, 随温度T和有效质量的增加而减少. GaAs之类的极性半导体，光学声子散射机构非常重要，要考虑。 声学声子迁移率 电离杂质迁移率 Ge, Si等非极性半导体，声学声子、杂质离子等散射，影响迁移率 其他散射机制：谷内散射， 谷间散射 电离杂质散射, 迁移率随着有效质量而减少，随温度而增加， 包含上述两种机制的组合迁移率为： 随着浓度的增加 ?迁移率减少 随着m*的增加 ?迁移率也减少 ?电子迁移率大于空穴迁移率 室温下Ge，Si和GaAs的迁移率与杂质浓度的关系 Ge Si GaAs 参 考 书 S.M. Sze, Physics of Semiconduct