《MOS管检验业指引》.docVIP

半导体MOS管检验作业指引 起草者：贺俊杰 日期：2009年09月11日 核对者： 日期：2009年 月 日 批准者： 日期：2009年 月 日 REVISE RECORD 文件修订记录 REV 版本 ECO № 更改通知 REVISE DETALL 修 订 简 述 DATE 日 期 PREPART 制 定 CHECK 审 核 APPROVE 批 准 A/0 / 首次发行 09-9-11 贺俊杰 一、目的： 规范半导体MOS管检验过程和检验方法的一致性和准确性。 二、职责： 1、技术员负责该标准的执行，并认真做好相关记录。所有的实验，在没有特殊规定的情况下，一律按本标准进行测试。 2、零件承认工程师负责监督技术员的执行情况和相关报告的审核，并负责所属样件作业指引的制定。 3、部门负责人负责本标准的审批。 三、半导体NOS管检测项目： 1、外观检验项目： 1.1、表面标识正确，清晰易辩、无模糊，内容符合文件要求。 1.2、本体无裂痕、边角破损、刮花或凹陷等不良现象。 1.3、引脚无氧化发黑、无断裂、锈蚀、批锋、压痕、变形、污渍等不良现象。 1.4、尺寸参数与样品规格书规定的标准相符。 2、性能检验项目： 2.1、极性判断： a)判定栅极G： 将万用表拨至R×1k档分别测量三个管脚之间的电阻。若发现某脚与其字两脚的电阻均呈无穷大，并且交换表笔后仍为无穷大，则证明此脚为G极，因为它和另外两个管脚是绝缘的。 b)判定源极S、漏极D： 在源-漏之间有一个PN结，因此根据PN结正、反向电阻存在差异，可识别S极与D极。用交换表笔法测两次电阻，其中电阻值较低（一般为几千欧至十几千欧）的一次为正向电阻，此时黑表笔的是S极，红表笔接D极。 2.2、漏-源极击穿电压测试VDSS： a)测试条件： 1、环境温度Ta=25℃； 2、测试电流IDS与部品规格书上的测试电流相同。 b)测试设备：半导体管特性图示仪XJ4810 c)测试方法： 把图示仪的二极管测试台引两根引线出来，正电极接MOS管的漏极D,负电极接MOS管的源、栅极（源极和栅极短路），接上后，再调节Y轴电流按钮和X轴电压按钮到指定的电压电流；最后慢慢地把调制峰值电压按钮从0%往上调高，当LCD面板的坐标图显示D、S极被击穿时，其读数为管的。） 把测试设备和被测MOS管如图1线路连接起来，所测的读数即为管的。 精品文档，欢迎下载！ forces to lead the economic responsibility auditing system, it is the whole party, the whole army pressure to fight corruption and demands of the times. Build a lasting, effective fire auditing mechanisms in the field of law enforcement, strengthening the construction of fire protection standardization of law enforcement, eliminate law enforcement corruption from the origin has a very good role in pushing hands, to create a firefighting force exercise self-discipline, strict with the right atmosphere. On the educational practice of the mass line of the party summary the Assembly stressed: party cadres were public servants, shall act in the interest of the institution, both cheap and often, and is clean