地弹噪声整改案例-去耦电容和地线的重要性.docx

NRC-819开入异常测试测试说明针对WDR-821B/G3开入异常现象，本次试验针对以下7项内容进行了测试：测量正常与疑似异常HCT245在开入变位时输入端低电平幅值。通过可调电位器，测量HCT245芯片开入变位门槛值。通过可调电位器，测量HC245芯片开入变位门槛值。针对疑似异常HCT245芯片，调节跳位开入前端回路参数，测试对异常现象的影响。使用HC245芯片，调节跳位开入前端回路参数，测试对开入变位的影响。疑似异常HCT245芯片电源加电容测试。开入动作电压值测量二、相关电路原理图和PCB三、测试项目测量正常与疑似异常HCT245在开入变位时输入端低电平幅值正常HCT245芯片在光耦变位时，用电压表测量YXKR1 ~YXKR11的电压为0.67V左右。正常HCT245芯片KR1(TWKR)的电压为0.654V（返回时高电平4.24V左右）。疑似异常HCT245芯片KR1(TWKR)的电压为0.656V（返回时高电平4.24V左右），去掉跳位面板指示灯后，KR1(TWKR)的电压为0.543V。HCT245芯片开入变位门槛值正常HCT245芯片，测量遥信开入在1.2V左右，HCT245输出变位。通道1：光耦后YXKR3 通道3：数据线D2 通道3：片选CS2疑似异常芯片遥信开入变位门槛值将YXKR9的上拉电阻两端并联一个电位器，调节电位器，测量YXKR9在1.2V左右，