复旦大学微电子工艺VLSI-05第五讲 光刻(下).pptVIP

集成电路工艺原理 仇志军 zjqiu@fudan.edu.cn 邯郸校区物理楼435室 2、Reducing resolution factor k1 Minimum feature size INFO130024.01 集成电路工艺原理 第四章 光刻原理 (下) 上节课主要内容 基于衍射理论的光刻原理 投影式（远场衍射）：分辨率、焦深、MTF、不相干度S 接触/接近式（近场衍射）:最小尺寸 光刻胶：正胶/负胶 光刻胶的组成 i线/g线（PAC） DUV（PAG） 掩模版制作 光刻机工作模式： 接触式，接近式，投影式（扫描式，步进式，步进扫描式） 大纲 第一章 前言 第二章 晶体生长 第三章 实验室净化及硅片清洗 第四章 光刻 第五章 热氧化 第六章 热扩散 第七章 离子注入 第八章 薄膜淀积 第九章 刻蚀 第十章 后端工艺与集成 第十一章 未来趋势与挑战 光刻步骤简述 前烘 对准及曝光 坚膜 曝光后烘 光刻步骤详述 硅片增粘处理 高温烘培 增粘剂处理 ：六甲基二硅胺烷（HDMS） 匀胶机 涂胶：3000～6000 rpm，0.5~1 mm 前烘：10～30 min，90～100 ?C 热板 去除光刻胶中的溶剂，改善胶与衬底的粘附性，增加抗蚀性，