Specification of Mono-wafer.docVIP

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2017-06-08 发布于河南
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Specification of Mono-wafer.doc

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Specification of Mono-wafer

单晶硅片规格Mono-crystalline Silicon Wafer Specification 项目Items 规格Specification 尺寸Dimension 125×125mm±0.5mm ；156×156mm±0.5mm 对角线Diagonal 125mm:150mm±0.5mm; 156mm: 200mm±0.5mm 厚度Thickness 180 / 200/±20μm 垂直度Edge Angle 90°±0.25° 中心偏离Central deviation ≤0.5mm TTV ≤40μm 翘曲Bow ≤70μm 线痕Saw marks ≤15μm 表面Wafer Surface 表面无明显黑斑、污渍No stain, splash on surface obvious 裂纹Crack 无可视裂纹No crack visible with naked eyes 孔洞Pin Hole 无孔洞No pin hole 导电类型Conductivity Type P型P-type Boron Doped 碳含量Carbon content ≤5.0×1017 at/cm3 氧含量Oxygen content ≤1.0×1018 at/cm3 电阻率Resistivity 0.5～3.0Ω·cm～.0Ω·cm 少子寿命Life Time ≥10μs（钝化后）边缘缺陷Edge Defects 1. 边缘片Edge chippings: 深度≤0.5mm，长度不限，只存在于一条边Depth≤0.5mm, unlimited length, only exist on one edge 第2,3,4项缺陷总共最多只允许两Item 2.3.4 total allowed: max 2 places 2. 崩边Edge chip: 深度≤0.5mm,长度≤1.0mm,无“V”形缺口Depth≤0.5mm, Length≤1.0mm, no“V” shape 3. 缺角Corner Missing: 深度≤0.5mm,长度≤0.5mm Depth≤0.5mm, Length≤0.5mm 4. 硅落Surface Chip: 深度≤0.5mm,长度≤1.0mm Depth≤0.5mm, Length≤1.0mm 江西赛维LDK太阳能高科技有限公司 JIANGXI LDK SOLAR HI-TECH CO.,LTD