宏观应力测定及应用.pptx

硒化锌晶体光学加工中的宏观应力硅酸盐学报么艳平1，一，张玉兰2，李长江2，刘景和3(1.吉林师范大学信息技术学院，吉林四平136000；2.长春理工大学光学加工中心；3.长春理工大学材料与化工学院，长春130022) XXXX 2015.4摘要：用化学一机械加工工艺加工ZnSe晶体器件。用x射线衍射分析技术测定晶体器件在加工过程中宏观应力的变化。结果表明：加工后器件的损伤层厚度接近为零。抛光后的器件和加工前的器件的宏观应力相近，表明用该工艺加工对器件的宏观应力影响小，这对器件的应用非常有利。加工实验表明：选用的工艺参数和抛光液对加工ZnSe晶体器件是成功的。样品制备：采用ZnSe晶体圆片形的毛坯，直径为17mm，厚为3.4 mm。先用磨料302#(粒度为28～20um)金刚砂细磨。细磨(曲率半径R=140 mm)凸球面时，ZnSe零件表面均应磨到；细磨平面时，将ZnSe器件固定在平模上，将器件细磨成等厚度，然后进行抛光。在粗抛时，抛光液为w2.5(粒度为2.5～1.5um)的普通Al2O3，精修时所用抛光液为加有双氧水和NaOH的光谱纯Al2O3 ，其粒度为0.5um。在对件进行抛光时，室内保持在25～28℃之间。抛光的线速度为0.2～0.3 111/s，压力为2～4MPa。宏观应力的分析采用XRD分析应力的sin2ψ法分析加工过程中样品的宏观应力变化。用XRD测定样品应力时，认为测得的微观晶格应变εJφψ和由弹性理论获得的宏观应变εφψ 是一致的。由上式可知由2 对sin2ψ直线关系的斜率可求得待测应力。因此，测试得到XRD谱后，对计算出的2和sin2ψ进行直线拟合，通过斜率可比较不同加工阶段的待测应力。式中待测应力为（hkl）为晶面指数，S2hkl为弹性常数。样品的应力测试：采用日本理学D/maX.rA型XRD仪，辐射源为CuKα线。实验中，ψ分别取0,15,30，45°，测试ZnSe晶体的(531)面在加工前、细磨后和抛光后的XRD谱。图l～图3分别为在加工前、细磨后和抛光后所得ZnSe晶体(531)面XRD谱。图1～图3中4条曲线分别为ψ取0,15,30,45 °时的XRD谱。利用分析软件对ZnSe晶体(531)面XRD谱定峰，计算衍射角的位置2 ,结果如表1所示。用最小二乘法对测得的2和sin2ψ 之间进行直线拟合，然后计算样品加工前、细磨后和抛光后的衍射线位置2与sin2ψ直线关系的斜率，可得到应力的变化。结果与讨论1.由图1～图3中可见：在ψ角相同时测定的样品加工前、细磨后和抛光后的XRD谱发生了变化，这是由于加工过程中的宏观应力引起晶格应变引起的。2. 对测得的2 和sin2ψ 之间进行直线拟合(见图4)。图4中直线1，2，3分别是由加工前、细磨后和抛光后2 -sin2ψ 拟合确定的直线。拟合直线的截距和斜率如表2。由表2可见：由于加工前的和抛光后的2 与sin2ψ直线关系的斜率相近，所以加工前的器件和抛光后器件的宏观应力相近。4.图5和图6分别为用xl_30场发射环境扫描电子显微镜观察样品经细磨和抛光后的截面形貌。由图5可以看出：细磨过程中，在样品加工表面的损伤层引入了大量的缺陷和裂纹；抛光之后，样品表面的损伤层深度十分小，几乎观测不到，这是由于选用理想的抛光液和机械设备参数，有效地减弱了抛光过程对晶格的机械冲击力，加强了抛光液的氧化能力。结论采用自行设计的化学一机械加工工艺加工ZnSe透镜，用X射线衍射分析技术测定ZnSe器件在加工过程中宏观应力的变化。结果表明：加工前的器件和抛光后器件的宏观应力相近，说明加工过程对器件的宏观应力影响小，这对器件的应用非常有利。同时，证明所选用的抛光液和机械设备参数是理想的，有效地减弱了抛光过程对ZnSe晶格的机械冲击力，加强了抛光液的氧化能力，使加工过程中引入加工器件表面的损伤层厚度接近为零，即所采用的ZnSe晶体化学一机械法是成功的。