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1 一、填空题 1.在本征半导体中掺入微量_5_ 价元素形成N型半导体，掺入微量_3 价元素形成P型半导体。 2.硅稳压管通常工作在 反向击穿_ __ 区。 3.差动放大电路的差模信号是两个输入端信号的 差 ，共模信号是两个输入端信号的 算术平均值 。 4.互补输出级采用共集形式是为了使 带负载能力强 。 5. 在图1所示电路中， 已知VCC＝12V(＝100，＝100kΩ。 （1）当＝0V时，测得UBEQ＝0.7V，若要基极电流IBQ＝20μA， 则 和RW之和Rb＝ ≈ 565 kΩ；而若测得UCEQ＝6V，则Rc＝ ≈ 3 kΩ。 （2）若测得输入电压有效值=5mV时，输出电压有效值＝0.6V， 则电压放大倍数 图1 ＝ ≈ -120 。若负载电阻RL值与RC相等 ， 则带上负载后输出电压有效值＝ ＝ 0.3 V。 6. A+AB= A ，= 。 7.的与非-与非式为 _ ____。 8.在OCL乙类功放电路中，若最大输出功率为1W，则电路中功放管的集电极最大功 耗约为 0.2W 。 二、选择题（在每小题给出的多个选项中，只有一项是符合题目要求的，请把所选项前的字母填在题后的括号内。） 1.N型半导体是在本征半导体中加入以下哪种物质形成的。 [D ] A.电子 B.空穴 C.三价硼元素 D.五价磷元素 2.晶体管工作于放大状态时，下列哪种说话正确。 [ A ] A.发射结正偏、集电结反偏 B. 发射结正偏、集电结正偏 C. 发射结反偏、集电结反偏 D. 发射结反偏、集电结正偏 3.测得工作在放大状态的三极管三个电极电位U1=3.5V、U2=2.8V、U3=12VPNP型Ge管 B. PNP型Si管 C. NPN型Ge管 D. NPN型Si管 4.工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA， 那么它的β约为 [ C ] A. 83 B. 91 C. 100 5.UGS＝0V A.电阻阻值有误差 B.晶体管参数的分散性 C.晶体管参数受温度影响 D.电源电压不稳定 7.集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以 [ A ] A．减小温漂 B. 增大放大倍数 C. 提高输入电阻 8.的最简与或式为 [ A ] A. B. C. D. 9.与 相等的表达式为 [ C ] A. B. C. D. 10.若图2所示电路中晶体管饱和管压降的数值为│UCES│，则最大输出功 率POM＝ [ C ] A． B． C． 图2 三、判断题（判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内） 1．在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。 （√ ） 2. 因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。 （ ×） 3. PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。 （√ ） 4. 结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其 RGS大的特点。 （√ ） 5. 放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。