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一、半导体与PN结1.P型半导体：本征半导体+三价杂质元素←受主杂质（硼） 多子：空穴少子：电子 N型半导体：本征半导体+五价杂质元素←施主杂质（磷） 多子：电子少子：空穴2.本征半导体的导电能力由温度决定，杂质半导体的导电能力由所掺杂质的浓度决定。半导体的导电能力还与温度、光强、杂质浓度 和材料性质有关。3.PN结的形成原理：因浓度差→多子的扩散运动→形成空间电荷区→空间电荷区形成内电场阻止多子扩散，促使少子漂移（动态平衡）4.PN结的单向导电性：正偏：P区的电位N区的电位 低电阻， PN结导通反偏：P区的电位N区的电位 高电阻， PN结截止5.PN结的电容效应： 势垒电容扩散电容6.二极管数学分析模型： V:二极管两端的电压降 ：反向饱和电流：热电压 T=300k时，=26mV。7.二极管反向击穿←电击穿可逆：雪崩击穿（剧烈）齐纳击穿（稳定）8.二极管的电路分析模型：1理想(开关)模型2恒压降模型3折线模型4小信号模型（课本P74）9.特殊二极管：齐纳二极管二、二极管电路分析1.定型分析二极管状态方法：将二级管断开，分析二极管两端电位高低2.二极管的整流电路半波整流：电压平均值电流平均值桥式整流：电压平均值电流平均值3.限幅电路、开关电路（课本P80）三、双极结型三极管BJT1.BJT结构特性：基区b薄，集电区c面积大，发射区e高掺杂2.BJT放大电流原理：课本P104 前提：发射结正偏，集电结反偏3.电位关系：NPN型：Vc Vb Ve PNP型：Ve Vb Vc4.三极管的三种基本组态①共发射极：反相放大，较大②共集电极：≈1，输入电阻大，输出电阻小③共基级：输入电阻小5.BJT放大电路：基本共射极放大电路（课本P116）分析方法（P119）（重中之重）6.小信号分析模型方法：课本P126 （重中之重）能够画出微变等效电路四、场效应三极管FET1.MOS管: Ｎ沟道增强型，Ｎ沟道耗尽型，Ｐ沟道增强型，Ｐ沟道耗尽型2.N沟道增强型、耗尽型（课本P199）3.场效应管的小信号等效模型（课本P211）4.结型场效应管5.输出特性曲线：五、BJT放大电路1.静态分析：举例：静态工作点的稳定电路——分压式偏置电路2.动态分析：微变等效电路：电容短路，电源短路3.辨别饱和失真，截止失真。原因：静态工作点设置不合理。4.达林顿管：①复合管类型（NPN或PNP）与最前级类型一致②放大倍数：β=③复合管的共射放大电路和共集放大电路六、FET放大电路1.静态分析，动态分析2.小信号等效模型，低频跨导计算（共源、栅、漏放大电路）七、频率特性分析1.通频带2.波特图八、差分放大电路1.特性：牺牲一个放大管的性能，抑制零漂2.静态、动态，计算共模/差模放大倍数九、电流源电路1.电流源的种类2.电流源特点：直流电流恒定，交流等效电阻无穷大作用：1.提供放大电路的偏置电流 2.代替交流大电阻十、集成运放1.基本结构：差分输入、中间放大级、偏置电路、输出级2.求差电路、求和电路、积分电路、微分电路（课本P34）模拟乘法器（P299）十一、反馈放大电路1.放大电路、反馈回路2.瞬时极性法判断正负反馈3.判断反馈类型4.反馈放大系数计算5.深度负反馈反馈网络放大倍数分析（虚段和虚断）电压串联负反馈、电流串联负反馈、电压并联负反馈、电流并联负反馈十二、正弦波振荡电路十三、比较器与非正弦波信号产生电路十四、直流稳压电源