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模 拟 电 子 技 术 研究性教学论文 实验题目： 晶体管与场效应管的比较 学 院： XXX 专 业： XXX 学生姓名： XXX 学 号： XXX 任课教师： XXX XXX 年 XXX 月 XXX 日 晶体管与场效应管的比较 摘要 晶体管（transistor）（BJT（FET） 关键词：晶体三极管，场效应管，结构，工作原理，放大，应用 Abstract Transistor (transistor) is a solid semiconductor devices.It can be used for detection, rectification, amplification, switch, power, signal modulation and other functions. This paper mainly compares transistor to transistor (BJT) and field effect transistor (FET) in different aspects , including the definition of the concept, structure, working principle, amplifying comparison ,comprehensive application and so on .Talking about the significance of this thesis ,on the one hand ,it made induction and comparative comprehensive on the transistor and FET, on the other hand, it lay the foundation for electronic technology learning . Keywords: transistor, FET, structure, working principle, amplification, application 目　　　　录 一、基本概念 3 1.1晶体三极管 3 1.2场效应管 3 二、分类及结构 4 2.1晶体三极管 4 2.1.1晶体三极管的分类 4 2.1.2晶体三极管的内部结构图 5 2.2场效应管 5 2.2.1结型场效应管 5 2.2.2绝缘栅型场效应管 6 三、工作原理 6 3.1晶体三极管 6 3.1.1三极管的工作原理 6 3.1.2三极管的工作原理图 7 3.1.3晶体三极管三种大电路对比 7 3.2场效应管 8 3.2.1结型场效应管 8 3.2.2绝缘栅型场效应管 9 3.2.3场效应管的工作原理图 10 3.3不同场效应管的特性比较 10 四、场效应管与晶体管的比较及应用 11 五、综合应用 11 六、参考文献 12 基本概念 1.1晶体三极管 晶体三极管，亦称双极型晶体管（Transubstantiationalist,BJT）PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，构成三区三极两结，排列方式有PNP和NPN 图1-1晶体三极管典型封装形式 1.2场效应管 场效应管是场效应晶体管(Field Effect Transistor,FET)的简称，是一种电压控制型器件，它是利用电场效应来控制电流的大小，从而实现放大。场效应管工作时，内部参与导电的只有“多子”一种载流子，因此又称为单极型晶体管。 场效应管不仅具有一般三极管的特点，还具有输入电阻高(10^8-10^9Ω)、噪声小、抗辐射能力强、功耗低、制造工艺简单、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽、热稳定性好等优点。 场效应晶体管的特点是栅极的内阻极高，采用二氧化硅材料的可以达到几百兆欧，用栅源极电压控制漏极电流，属于电压控制型器件；具有较高输入阻抗和低噪声等优点，因而也被广泛应用于各种电子设备中，场效应管可以用作电子开关。尤其用场效管做整个电子设备的输入级，可以获得一般晶体管很难达到的性能。下图1-2为场效应管典型封装形式： 图1-2场效应管典型封装形式 分类及结构 2.1晶体三极管 　　2.1.1晶体三极管的分类 　　晶体三极管的种类很多，分类方法也有多种。下面按用途、频率