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电子陶瓷ch4
§4-1 概述 §4-2 陶瓷的铁电性与铁电陶瓷 §4-3 强介铁电瓷的改性机理 §4-4 铁电陶瓷的老化与疲劳现象 §4-5 铁电陶瓷材料确定原则 铁电体(ferroelectric):具有自发极化,且自发极化方向能随外场改变的晶体。它们最显著的特征,或者说宏观的表现就是具有电滞回线。 电滞回线(hysteresis curve):铁电体在铁电态下极化对电场关系的典型回线。 电畴(domain) :在铁电体中,固有电偶极矩在一定的子区域内取向相同的这些区域就称为电畴或畴。 畴壁(domain wall):畴的间界。 铁电相变:铁电相与顺电相之间的转变。当温度超过某一值时,自发极化消失,铁电体变为顺电体。 居里温度(Curie temperature or Curie point):铁电相变的温度。 电畴的观测: 电子显微镜TEM 原子力显微镜AFM 液晶法 化学腐蚀法 粉末沉淀法 X射线形貌术 光的双折射 均匀极化(单畴)的状态是不稳定的。 铁电体晶体中存在多个电畴。 由能量最低原理,相邻电畴内的偶极矩排列成90°或180°夹角,即电畴的排列方式分为180度电畴(反平行)和90度电畴。因而不加电场时,整个晶体总电矩为零,此时为最稳定状态。 180 °电畴 90 °电畴 (1) 按结晶化学分类: A、含氧八面体的铁电体: a. 钙钛矿型:BaTiO3 b. 钛铁矿型:LiTaO3 c. 钨青铜型:BaxSr5-xNb10O30 B、含氢键的铁电晶体: a. 酒石酸钾钠型:NaKC4O6.4H2O (RS) b. 磷酸二氢钾型:KH2PO4(KDP) c. 硫胺型:(NH4)2SO4(TGS) (2) 按力学性质分为: A、软铁电体(水溶性铁电体)——熔点和分解温度低,在水溶液中生长,如KDP。 B、硬铁电体——熔点和分解温度高,机械强度高。一般都是在高温熔体或熔盐中生长,以氧八面体为基本单元,并且氧离子间隙中填有高价阳离子如BaTiO3 ,KNbO3,NaNbO3。 (3) 按相转变的微观机构分为: A、位移型铁电体——同一类离子的亚点阵相对于另一亚点阵的整体位移相联系,如BaTiO3、LiNbO3等含氧八面体结构的双氧化物。 B、有序-无序型铁电体——同离子个体的有序化相联系,如含氢键的晶体。 铁电陶瓷:在一定温度范围内具有自发极化,且自发极化能为外电场所转向的陶瓷称为铁电陶瓷。 由于其介电系数高达103~104,故又称为强介瓷。其介电损耗偏大,tgδ约为10-2~10-3,适于制作小体积,大容量的低频电容器。主要是以BaTiO3为基本成分,具有钙钛矿结构的多种固溶体。 铁电陶瓷的介电系数与外施电场的强度具有非线性的关系。一般电容用铁电陶瓷,都尽量降低这种非线性。 但制作压敏电容器时,却要求电容量能随外施电场灵敏地变化。 铁电陶瓷的应用 介电特性:电容器 压电性:如超声换能器 热释电特性:如红外探测器 §4-2-1 BaTiO3的结构与自发极化 §4-2-2 BaTiO3的介电性能 BaTiO3为钙钛矿结构,由Ba2+离子与O2-离子一起立方堆积,Ti4+处于氧八面体体心。 Ti4+-O2-间距大(2.005A),故氧八面体间隙大,Ti4+离子能在氧八面体中振动。 T120℃,Ti4+处在各方几率相同(稳定地偏向某一个氧离子的几率为零),对称性高,顺电相。 T120℃,Ti4+由于热涨落,偏离一方,形成偶极矩,按氧八面体三维方向相互传递,耦合,形成自发极化的小区域,即电畴。 在外电场的推动下,电畴会随外电场方向转向运动。当外加电场足够强,电畴将尽可能地统一到外电场一致的方向。 电畴的反转过程分为新畴成核、畴的纵向长大、畴的横向扩张和畴的合并四个阶段。 180°畴:反向电场——(边沿、缺陷处成核)新畴——劈尖状的新畴向前端发展(因180°畴前移速度比侧向移动速度快几个数量级) 90°畴(新旧畴自发极化方向差90度)的反转类似于180°畴。新畴的发展主要依靠外电场推动90°畴壁的侧向运动。 180°畴不产生应力(因自发极化反平行,晶体的形变是同一维)。 90°畴使晶体内部出现应力。 (2)ε与交变电场强度的关系: 交变电场测量同时施加直流偏置电场 △E: 激活能 K:玻耳兹曼常数 T: 绝对温度 :某一温度下的电阻率 §4-3-1 对BaTiO3电容器的要求 §4-3-2 铁电瓷改性原理 介电损耗tgδ: 由于BaTiO3电容器主要用于低频电路中起滤波,旁路,隔直流,耦合等作用,因而,只要tgδ≤3%即可。 绝缘电阻ρv:
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