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高 新型FFS-TFT LCD技 高弘毅 　 1.前言 LCD画质的技术，其中又以新型边界电场切换技术(简称为FFS:Fringe Field Switching)能同FFS技IPS(In Plane Switching) 技(图1)。 　 ? ? 　 ? ? ? ? ? ? ? ?IPS方式的w与cell间隙d之FFS方式是在l下方Cst 存在于光穿透TFT LCD通常使用(以下)，其高黏度使的反50ms左右，加上液晶是在1所示正(以下)的低cell参数最佳化，正液晶也可获得等同于负液晶90%左右的光穿透效率。此外(wedge type)并使设计参数最佳化，如此一来data电极与像素电极之间的光泄漏便会自动的被抑制，其结果是黑矩(black matrix)实质上可以完全不用，同时还可以增加光线穿透率，达成25ms高速反LCD的FFS技TFT-LCD的CRT之外， 　????????? ?? 　 ?　 ? ? ? ?2.cell FFS技: 1.高穿透率。 2. 3.无失(cross talk)。 4.耗 5.反 6.耐 由于(homogeneous)排列于直交偏光0.4μm时，强大的水平电场会出现在像素电极(pixel)端缘(edge)附近，以及水平Ey 与垂直电场Ez两电极的中心到端缘之间，此时及水平电场Ey在3μm时，水平电场Ey与垂直电场Ez的强度 在(图2)。 ?? ? ? ? ? ? 假(tilt)为θ、(twist)为? 、cell间隙(gap)为d时，正液晶的电场特性如图3所示，A1是端A2是端A3是一般α(rubbing angel)与边界电场水平方向成78° ，俯仰角θ2° 。由3可知液晶分子在下方基板表面附近的上方俯仰，尤其是A2的最大俯仰角比其A2的最大俯仰角受到强大的垂直-400 (负符号表示与初始方向相反)。? 　 ? ? ? ? ? ? 有? ，正液晶A1的? 与A1液晶分子形 680扭转，如此小的扭转角几乎和TN-LCD相同；A2、A3位置最大俯仰角θ分30° 与50° ，A1的光A3大，同FFS光TN-LCD相同；A2的俯仰角θ大40° ，A3液晶分子旋(或)比FFS与IPS或是(device)有截然不同的差4可知正液晶的FFS cell光效Δnd值比负液晶IPS大，而且TN的初始最小(first minimum)与IPS组件之间，且正液晶的FFS光效率是α的(图5)。FFS研磨角α在120 到300 之FFS的α780 变化到 600时，最大光线穿透会出现明显变化，这些都是IPS与负液晶组件所没有的特性。不过α角450 时由于液晶的director最大450 ，因此小。根据以上的α、FFScell的90%左右的光穿透效率。 　????? ? ? 　 ?　 ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?3.新型FFS的 如6所示FFS的1/2像素的电场方向和另一方的1/2像素的电场方向相异；如果是传统的IPS方式，FFS相同的形(pattern)，光FFS的cell具有如此的FFS在某一FFS小，尤其是新型FFS水平方向的液晶director旋(图6是白director的形)，FFS的色度坐IPS少。FFS的director平行，因此data bus line之data bus line所引起的噪director转嫁到最初的研磨方向，造成如图6所示的全暗(cross talk)原因之一，FFS即使在data bus lineshield它的失真依旧很低。这些特性使得新型FFS可以舍弃晶的光 ???????? 　 ? ? ? ? ? ? ? ? 7是利用FFS技18.1英吋TFT-LCD的LCD的polar角 以CR(对比值)值为13至最大100时，不论是水平、垂直方向的polar角都超 。如果FFS与新型FFS的白polar角 范 取FFS的FFS具有高穿透率、度坐值、宽广视角、低失真等诸多优点。 　?? ? 　 ? ?新型FFS所使用的正液晶γ(100mPa?s)比目前所有正液晶(100mPa?s)还低。IPS为了达成高速反应的目标通常会降低d与γ值，不过降低d值却会增大驱动电压，进而造成△ε变大。由于驱动电压与下式的d值成反比例，与 成正比例，因此液晶的γ会增加。 ? 上述FFS，不FFS的director几乎是面cell间隙会使驱动电压增大，而正液晶FFS却(图8)，A2的液晶分子FFS而言ε ，且正液晶的ε 比cell间隙不但可以提高反应速度，本质上还具有低驱动电压特征。 ???????? 　 ? ? ? ? ? ? ? 表2是利用新型FFS技cell参数、材料、电极结构最佳化制作的18.1英吋TFT-LCD220cd/cm2