第11章 相变.ppt

2、负离子空位 以ZrO2为例。高温氧分压的降低将导致如下缺陷反应。 讨论： (1) T不变，由 结论 (1) 对过渡金属非化学计量氧化物，氧分压增加，将有利于金属离子的扩散，而不利于氧离子的扩散。 (2) 无论金属离子或氧离子其扩散系数的温度关系在LnD～1/T直线均有相同的斜率。 若在非化学计量氧化物中同时考虑本征缺陷空位、杂质缺陷空位以及由于气氛改变而引起的非化学计量空位对扩散系数的贡献，其LnD～1/T图含两个转折点。 E F LnD 1/T (本征扩散) (非化学计量扩散) (非本征扩散或杂质扩散) 三、 晶界、界面、表面扩散 1、多种扩散的含义 体积扩散(Db): (晶格扩散，本征扩散) 界面扩散(Dg): 晶界扩散－－液相少时主要 相界扩散－－液相多时主要 表面扩散(DS) 2、 界面对扩散的影响 DS：Dg: Db = 10-3: 10-7: 10-14 (cm2/s) 原因： 晶界和表面结构不完整，原子处于高能态，富集缺陷，所以活化能降低，?D?? 例： Ag三种扩散的活化能 在离子化合物中， 多晶体扩散系数 单晶体扩散系数 第五节 影响扩散因素 一、温度的影响 D＝D0exp(-?G/RT) T?? D? 或T?? ?G?? D? 二、杂质与缺陷的影响 1、杂质的作用 增加缺陷浓度 D? 使晶格发生畸变 D? 与基质结合成化合物 D? 如发生淀析 2、 点缺陷：提供机制 3、 线缺陷(位错)：提供扩散通道。 第11章完 这时，方程的初始、边界条件应为 t=0，x ＞0，c= c1 x＜ 0，c= c2 t ≧ 0，x= ∞ ，c= C1  x= -∞ ，c= C2 满足上述初始、边界条件的解为曲线如上图。 应用：钢件渗碳可作为半无限长物体扩散问题处理。进行气体渗碳时，零件放入温度约为930 ℃的炉内，炉中通以富CO的气体（如CH4）或其他碳氢化合物类气体。来自炉气中的C扩散进入零件的表面，使表层的含C量增加。上式可简化为 例1：含0.20%碳的碳钢在927 ℃进行气体渗碳。假定表面C含量增加到0.9%，试求距表面0.5mm处的C含量达0.4%所需的时间。已知D972=1.28 ×10 -11 m2/s解：已知c s，x，c0，D，c x代入式得erf（）=0.7143查表得erf（0.8）=0.7421，erf（0.75）=0.7112，用内差法可得β=0.755因此，t=8567s=2.38h 例2：渗碳用钢及渗碳温度同上，求渗碳5h后距表面0.5mm处的c含量。解：已知c s，x，c0，D，t代入式得（0.9% - c x ）/0.7%=erf（0.521）=0.538 c x =0.52%与例1比较可以看出，渗碳时间由2.38h增加到5h，含0.2%c的碳钢表面0.5mm处的c含量仅由0.4%增加到0.52%。 图8 2.恒定量扩散对于第二种情况，边界条件归纳如下： t=0，x ≧ 0，c（x，0）=0 t ≧ 0，x=0，c（x，t）=Q求解得 将前式两边取对数，得以lnc（x，t）-x2作图得一直线斜率k=-1/4Dt，D=-（1/4tk） 2）制作半导体时，常先在硅表面涂覆一薄层硼，然后加热使之扩散。利用上式可求得给定温度下扩散一定时间后硼的分布。 例如，测得1100℃硼在硅中的扩散系数D=4 ×10 -7m2.s-1，硼薄膜质量M=9.43 ×10 19原子，扩散7 ×10 7 s后，表面（x=0）硼浓度为 应用： 1）这一解常用于扩散系数的测定。将一定量的放射性示踪元素涂于固体长棒的一个端面上，在一定的条件下将其加热到某一温度保温一定的时间，然后分层切片，利用计数器分别测定各薄层的同位素放射性强度以确定其浓度分布， 动力学理论的不足： (1) 唯象地描述扩散质点所遵循的规律； (2) 没指出扩散推动力 扩散热力学研究的问题： 目标： 将扩散系数与晶体结构相联系； 对象： 单一质点?多种质点； 平衡条件： 第二节 扩散的热力学理