第1章 高频无源网络.pptx

第1章高频无源网络复旦大学电子工程系陈光梦高频电路基础2016-12-15高频电路基础1无源器件集总参数器件分布参数器件{传输线波导电阻电容电感适用频率高适用频率低2016-12-15高频电路基础2集总参数无源器件的高频电特性一个实际的电阻器、电容器或电感器，在低频时主要表现为电阻、电容或电感特性（标称特性）。在高频使用时，由于分布参数的影响，这些器件不仅标称特性的参数会发生变化，而且还表现出标称特性所没有的阻抗特性。这些由分布参数反映的特性就是器件的高频特性。2016-12-15高频电路基础3趋肤效应在高频情况下，导线中的交流电流向导线表面集中，这一现象称为“趋肤效应”。当频率很高时，导线中心部位几乎完全没有电流流过，这相当于把圆导线的横截面积减小为圆环面积，所以信号频率越高，导线的等效电阻就越大。例如，圆导线的趋肤深度为其中：m为磁导率（空气=4p×10-7），s为电导率。2016-12-15高频电路基础4金铜银常见导电材料圆直导线的趋肤深度随频率的变化关系2016-12-15高频电路基础5分布电容任何两个相邻的导体都具有分布电容。典型的分布电容值可用平板电容器近似：其中：e=e0er为介电常数（e0=8.85×10-12），S为极板面积，d为极板之间的距离，k为考虑极板边缘效应的修正系数。2016-12-15高频电路基础6分布电感任何导体都具有分布电感。近似估计（全部用国际单位制）其中m0=4p×10-7。精确一些的估计其中：d为导线直径，D为圆环直径，x、y为矩形边长（均为mm）。2016-12-15高频电路基础7例：导线环，导线直径0.5mm，环直径20mm。在低频情况下（假设f=1kHz）:在高频情况下（假设f=100MHz）:2016-12-15高频电路基础8电容器的高频特性一个实际的电容器除表现电容特性外，还具有损耗电阻和引线分布电感。其等效电路和阻抗特性如下图所示。由于引线分布电感的影响，实际电容器的阻抗在极高频率时有随频率增加而增加的现象。当频率不是特别高时，通常可以忽略引线分布电感的影响，此时可等效为电容C与电阻R并联。2016-12-15高频电路基础9电感器（线圈）的高频特性电感器（线圈）在高频频段除表现出电感L的特性外，还具有一定的损耗电阻r和分布电容C。与实际电容器的特性类似，由于分布电容的影响，在极高频率下其阻抗反而随频率上升而下降。同样，当频率不是特别高时，通常可以忽略分布电容的影响，此时可等效为电感L和电阻r串联。2016-12-15高频电路基础10电阻器的高频特性一个实际电阻器的两个端点之间存在分布电容，引线具有分布电感，所以其高频等效电路如下图所示，其中C为分布电容，L为分布电感，R为电阻。2016-12-15高频电路基础11在实际的高频电路中，常常采用表面贴装的器件封装形式。由于表面贴装的器件将引脚缩至最小，所以有效地减小了器件的分布参数。表面贴装的电阻器、电容器和电感器2016-12-15高频电路基础12电容器和电感线圈的Q值品质因数（Q值）的定义：无功功率与有功功率之比，即只考虑电容器C的损耗电阻R时，其Q值为：只考虑电感线圈的损耗电阻r时，其Q值为：通常情况下，电容器的Q值远高于电感线圈的Q值。2016-12-15高频电路基础13互感同名端or次级感应电动势大小由互感M与初级电流变化率确定次级感应电动势方向由两个线圈的绕向确定2016-12-15高频电路基础14互感电路的阻抗其中：L1和L2分别是互感电路原边和副边的线圈电感量（自感）；M是互感电路原边和副边之间的互感量。节点方程（忽略电感的损耗电阻）：2016-12-15高频电路基础15解方程，从原边看进去的阻抗或导纳为：其中：Z11或Y11是变压器原边电感的电抗或电纳，Z12或Y12是变压器副边电感和负载阻抗反射到原边的阻抗或导纳。其中反射阻抗Z12与原边电感构成串联形式，反射导纳Y12与原边电感构成并联形式。2016-12-15高频电路基础16进一步分析反射阻抗，若Z2=R2+jX2，则反射电抗X12的负号表示次级回路的总电抗（X2+wL2）反射到初级后，其电抗性质发生改变。其中2016-12-15高频电路基础17例互感式耦合电路如图所示。已知：激励信号的频率f=1MHz；初级电感L1=160mH，Q1=100；次级电感L2=160mH，损耗电阻已经折合到负载中；互感M=3.2mH；负载电容C2=180pF，电阻R2=70W。求：反射到初级的负载阻抗，它呈容性还是感性？并据此确定初级回路两端的等效总阻抗Z1。2016-12-15高频电路基础18解：2016-12-15高频电路基础19选频网络作用：选出需要的频率分量，滤除不需要的频率分量。一般还兼有阻抗变换的作用。结构：在高频电子线路中，选频网络通常由无源器