第3章 晶体管直流特性.ppt

电子器件基础 湖南大学电子科学与技术专业 第3章 晶体管直流特性 第1节 晶体管基本结构与放大机理 第2节 晶体管直流电流电压方程 第3节 晶体管电流放大系数与特性曲线 第4节 晶体管反向电流与击穿电压 第5节 晶体管基极电阻 掌握双极型晶体管的结构和杂质分布，放大机理和电流放大系数，直流电流——电压方程，反向电流和反向击穿特性，基区电阻和寄生参数，直流特性的影响因素及其关系。 本章要求： 第1节 晶体管基本结构与放大机理 1 晶体管结构 晶体管又称为晶体三极管 两种类型：P+NP、N+PN 3区：集电区、基区、发射区 3极：集电极、基极、发射极 两个PN结：发射结、集电结 （背靠背，有机结合） 晶体管的分类 材料 硅管 极性 NPN管 锗管 PNP管 砷化镓管 频率 低频晶体管 磷化镓管 高频晶体管 管芯结构 合金管 微波晶体管 合金扩散管 功率 小功率晶体管 台面管 中功率晶体管 平面管 大功率晶体管 类型 特征 用途 低频小功率管 特征频率3MHz 功率1W 收音机、收录机、电视机及各种电子设备中用做低放。 高频小功率管 特征频率3MHz 功率1W 高频振荡电路、放大电路。 低频大功率管 特征频率3MHz 功率1W 电子音响设备的低频功率放大电路中功放管、大电流输出稳压电源中调整管、低速开关电路中开关管。 高频大功率管 特征频率3MHz 功率 1W 无线通信等设备中功率驱动和放大、高频功率放大和开关、稳压电路中。 类型 特征 用途 开关 晶体管 截止区和饱和区进行转换工作，由基极脉冲信号控制通断，是一种无接触电子开关 数字电路、驱动电路和电源电路 高频低 噪声管 特征频率高,，噪声系数小，高频应用时有一定功率增益 高频放大、振荡及混频电路 差分对 晶体管 两只性能一致的晶体管封装成一体，以最简单的方式构成性能优良的差分放大器 仪器、仪表输入级的前置放大器 复合 晶体管 各种极性晶体管按一定方式连接而构成的高电流放大系数的晶体管 较大功率输出的电路 合金管 N-Ge为衬底，杂质浓度最低； 发射结、集电结均为突变结； 均匀基区晶体管：基区杂质均匀分布（ 3个区） 合金扩散管 发射结(合金结)为突变结； 集电结(扩散结)为缓变结； 缓变基区晶体管：基区杂质浓度变化。 外延平面晶体管 N-Si为外延层浓度最低； 发射结、集电结均为缓变结； 台面管：采用磨角使集电结形成台面结构 PN结二极管的重要作用是具有单向导电性； 晶体管的重要作用是具有放大能力； 以均匀基区晶体管为例，分析晶体管内部载流子传输，定性说明晶体管的放大作用。 对N+PN晶体管分析，P+NP管类似。 2 晶体管的放大机理 无外加电压作用 统一费米能级EF 多子：nne ppb nnc 杂质浓度：NENBNC 少子：pne npb pnc 发射结自建电场 Ee 集电结自建电场 Ec 势垒高度：qVDE qVDC 势垒宽度：xme xmc 平衡态 晶体管放大工作 发射结： 外加正偏电压：VE 0 势垒高度减小为q(VDE－VE) 发射区电子注入基区nb(x) 基区空穴注入发射区pe(x) 集电结： 外加反偏电压：VC 0 势垒高度增加为q(VDC－VC) 结附近的少子被反向抽取 晶体管共基极连接 电流关系： IE = InE + IpE IC = InC + ICBO InC= InE－IVB IB = IpE+IVB－ICBO IE = IC + IB 如 nneppb： IE = InE + IpE≈InE 如 WB LnB： InC = InE－IVB≈InE 载流子传输 第2节 晶体管直流电流电压方程 1 均匀基区晶体管 假设： (1) 理想突变结近似，杂质都是均匀分布； (2) 一维晶体管，平行平面结； (3) 电压降在势垒区，势垒区外无电场； (4) 势垒区宽度比少子扩散长度小得多，势垒 复合可以忽略； (5) 小注入，注入基区的少子浓度比基区多子 浓度少得多。 载流子浓度分布 发射区空穴电流密度: 集电区空穴电流密度: 发射极电流与集电极电流 则上面两式可简化为： 2 缓变基区晶体管 缓变基区中的自建电场 形成： 大多数晶体管是缓变基区，基区多子存在浓度梯度，引起空穴向浓度低的地方扩散，空穴扩散破坏基区电中性，在基区建立