第七章半导体存贮器.pptVIP

1 1 1  二、半导体存储器的分类： 根据使用功能的不同，半导体存储器可分为两大类： （1）只读存储器（ROM）。其内容只能读出不能写入。 存储的数据不会因断电而消失，即具有非易失性。 （2）随机存取存储器（RAM）也叫做读/写存储器。既能方便地读出所存数据，又能随时写入新的数据。RAM的缺点是数据易失，即一旦掉电，所存的数据全部丢失。 三、主要技术指标 1.存储器的容量：存储器的容量=字数（N） ×位数(M),即存(取)次数 ×字长 例:256 ×8 表示字长为8位二进制数、8位为一个字，可存(取)256次。 2.存取时间: 连续二次读/写操作所间隔的最短时间.。 § 7.2只读存储器(ROM) （2）一次性可编程ROM（PROM）。出厂时，存储内容全为1（或全为0），用户可根据自己的需要编程，但只能编程一次。 二．ROM的结构及工作原理 1. ROM的内部结构 由地址译码器、存储矩阵和输出缓冲器组成。 2. 例二极管的固定ROM （1）电路组成： （2）输出信号表达式 1.作函数运算表电路 【例7.2—1】试用ROM构成能实现函数y=x2的运算表电路，x的取值范围为0～15的正整数。 Y7=m12+m13+m14+m15 若以地址线为输入变量，则数据线即为一组关于地址变量的逻辑函数 【解】 （1）写出各函数的标准与或表达式： 按A、B、C、D顺序排列变量，将Y1、Y2、 Y3、Y4扩展成为四变量逻辑函数。 （2）选用16×4位ROM，画存储矩阵连线图： 7.2.2 可编程ROM（PROM） 总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同 7.2.3 可擦除的可编程ROM（EPROM） 总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同 一、用紫外线擦除的PROM（UVEPROM） 二、电可擦除的可编程ROM（E2PROM） 总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同 三、快闪存储器（Flash Memory） 为提高集成度，省去T2（选通管）改用叠栅MOS管（类似SIMOS管） 四．EPROM举例——2764 §7.4.存储噐容量的扩展（以ROM为例） 用8片2764扩展成64k×8位的EPROM： 一． RAM的基本结构 由存储矩阵、地址译码器、读写控制器、输入/输出控制、片选控制等几部分组成。 1. 存储矩阵 图中，1024个字排列成32×32的矩阵。 为了存取方便，给它们编上号。 32行编号为X0、X1、…、X31， 32列编号为Y0、Y1、…、Y31。 这样每一个存储单元都有了一个固定的编号，称为地址。 2．地址译码器——将寄存器地址所对应的二进制数译成有效的行选信号和列选信号，从而选中该存储单元。 采用双译码结构。 行地址译码器：5输入32输出，输入为A0、A1 、…、A4， 输出为X0、X1、…、X31； 列地址译码器：5输入32输出，输入为A5、A6 、…、A9，输出为Y0、Y1、…、Y31， 这样共有10条地址线。 4. 片选及输入/输出控制电路 当选片信号CS＝1时，G5、G4输出为0，三态门G1、G2、G3均处于高阻状态，输入/输出（I/O）端与存储器内部完全隔离，存储器禁止读/写操作，即不工作； 二. RAM的工作时序（以写入过程为例） 写入操作过程如下： （1）欲写入单元的地址加到存储器的地址输入端； （2）加入有效的选片信号CS； （3）将待写入的数据加到数据输入端。 （3）在 线上加低电平，进入写工作状态； （4）让选片信号CS无效，I/O端呈高阻态。 三． RAM的容量扩展 3．字扩展例题 （适用于每片RAM,ROM位数够用而字数不够时） 用8片1K×8位RAM构成的8K×8位RAM。 RAM的芯片简介(6116) 6116为2K×8位静态CMOSRAM 芯片引脚排列图： A0～A10是地址码输入端，D0～D7是 数据输出端， 是选片端， 是输出使能端， 是写入控制端。 本章小节 （1）位扩展（字长的扩展） 现有型号的EPROM，输出多为8位。 下图是将两片2764扩展成8k×16位EPROM的连线图。 （2）字数扩展（地址码扩展） . . . . . . . . . . . . A A O O O CS OE 0 0 12 7 OE 0 A A 12 ~ D D ~ 7 0 O . . 0 . . . . . . . . . . 12 0 A 7 O OE A CS O O . . 0 . . . . . . . . . . 12 0 A 7 O OE A CS O . . . . . A A Y Y G G 0 0 A 1