第七讲(part2)--存储器接口电路和AD-DA.ppt

存储器接口电路和AD-DA 存储器接口 存储器的种类 存储器与处理器的接口方式 存储器的访问时序 特殊存储器的使用 存储器的特点 存储空间受限，一般小规模系统直接使用片内ROM和RAM，称作内部存储器 由于现在系统功能越来越多，出现对扩展存储的需要，称为外部存储器 非易失性存储器，存储系统代码 系统运行所需缓存空间 系统使用的缓存空间也可能是非易失性存储器 存储器的种类 从存储原理的不同来分 RAM：SRAM、DRAM易失性存储器 ROM：EEPROM、NorFlash、NandFlash非易失性存储器 从访问时序来看 同步存储器 异步存储器 存储器的种类 RAM存储器 随机存取内存(RAM)可分动态(DRAM)与静态随机存取内存(SRAM)两种 差异在于DRAM需要由存储器控制电路按一定周期对存储器刷新，才能维系数据保存，SRAM的数据则不需要刷新过程，在上电期间，数据不会丢失。 RAM存储器 RAM存储器 DRAM，动态随机存取存储器，需要不断的刷新，才能保存数据。而且是行列地址复用的，许多都有页模式。 SRAM，静态的随机存取存储器，加电情况下，不需要刷新，数据不会丢失，而且一般不是行列地址复用的。 SDRAM，同步的DRAM，即数据的读写需要时钟来同步。 各种存储器芯片 各种存储器芯片 各种存储器芯片 各种存储器芯片 各种存储器芯片 各种存储器芯片 SRAM介绍 访问速度快，无须刷新 采用双稳态电路保存数据，电路复杂、成本高 接口简单，单位面积容量较DRAM小 地址线可以对等互换以方便布线 高速同步SRAM 两种同步SRAM SBSRAM（SynchronousBurst SRAM）：一次地址写入，片内地址自增 ZBTRAM（ZeroBus TurnAround SRAM）：读写之间的转换无需等待时间 IDT71V3576 SBSRAM SBSRAM时序图 ZBTRAM时序图 DRAM介绍 动态随机访问存储器 以MOS管栅极电容的电荷存储能力作为存储单元的基础 为了解决漏电流导致电荷丢失的问题，需要定时刷新（补充电荷） 存储单元结构简单，所以存储器密度大、容量高 地址分为行地址和列地址，分两次从同一组地址线上输入 SDRAM NT56V1616 FRAM非易失性铁电存储器 利用铁电晶体的铁电效应存储数据 速度快、读写功耗低、无最大写入次数 读写时都有预充电过程 分为并行和串行两种接口 FRAM在汽车中的应用 Nor Flash介绍 Intel 1988年首先开发出来 芯片内执行，程序可以直接在片内运行 带有SRAM接口，可按地址信号寻址 密度小，读取和擦写速度慢 可靠性较好，适合做程序存储器 主要集中在1MB-16MB的市场 SST39VF160(1M*16Bit) NOR-Flash Nor Flash时序 Nor Flash的操作 Nor Flash的操作 NorFlash的一般操作 Flash的写操作数分为命令和数据，对Flash的操作通过写入对应的命令实现 读操作（Read）：读ID号、读数据 写操作（Program） Sector擦除 Chip擦除 NorFlash的每个sector长度不一定一致，因此需要注意datasheet中的sector表 NAND Flash介绍 东芝 1989年首先推出 密度大，容量高 读取速度较NorFlash慢，但写入和擦除快 使用复杂的I/O控制作接口，串行存取数据 容易出现位错，不适合存储程序 主要集中在16MB以上的市场 K9F1208U0M NAND Flash(64M*8Bit) NAND Flash功能框图 NAND Flash模式选择 NAND Flash时序 NandFlash存储阵列组织（*8） Nand Flash操作流程 NandFlash操作代码举例 NandFlash和NorFlash比较 性能比较： NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术 NOR的读速度比NAND稍快一些 NAND的写入速度比NOR快很多 NAND的擦除速度远比NOR的快 大多数写入操作需要先进行擦除操作 NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少 NandFlash和NorFlash比较 接口比较： NOR flash带有SRAM接口，线性寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节 NAND flash使用复用接口和控制IO多次寻址存取数据 NAND读和写操作采用512字节的块，这一点有点像硬盘管理，此类操作易于取代硬盘等类似的块设备 NandFlash和NorFlash比较 容量和成本比较： NAND flash生产过程更为简单，成