SiC制备.docVIP

实验：采用超细碳粉和高岭土为原料（）。按一定的比例球磨混合、干燥、造粒，将球粒装入Ar气氛碳管炉的石墨坩埚内，煅烧。试验中，分为五个不同温度（1300、1400、1500、1600、1700）碳粉加入条件（1.6、7.0、12.4%）。 结论： l 平面堆垛层错, 2 螺型位错. 硅酸盐通报 1993年第二期 实验：碳化硅熔点大于2700°，密度为3.21.碳还原SiO2的固体材料法；高温液相中硅和碳反应VLS法；原料：二氧化硅、炭黑、石油焦和稻壳。依据SiO2+3C SiC+2CO反应式进行物料配比。原料混合采用滚筒式球磨机，混合时间为5-10min。仪器：无限微热源炉。温度在1500℃-1650℃。 方法1　马峻峰, 沈君权等。采用超细碳粉与高岭土按一定比例球磨、混合、干燥、造粒; 将球粒装入氩气气氛碳管炉中的石墨坩埚内, 于同组分碳粉中埋烧, 后经煅烧除碳, 物化分离后可得到SiCw. 方法2　万隆, 刘元锋等[11 ]以工业硅溶胶和碳黑为主要原料, 将碳黑 粒径为纳米级 和硅溶胶加入催化剂后球磨混合、干燥、碾碎后过240 目筛, 将筛下物置于多功能立式碳管炉中加热进行碳热还原反应, 通氩气保护, 加热到一定温度, 保温一段时间后即可得到SiCw. 此方法合成的SiCw 质量分数可达到70%. 方法3　李轩科, 刘朗等[12 ]先制备出碳质醇溶胶 C 为纳米级 和硅醇溶胶, 接着将二者按大于3∶1的物质数量比进行混合形成二元碳质2硅醇溶胶, 之后将其进行常压干燥和超临界流体干燥后, 分别制得二元碳质2二氧化硅干凝胶和气凝胶. 将此分别装入石墨坩埚内, 将坩埚放入硅钼棒炉的氩气气氛高铝质管中加热一定时间后, 即可得到SiCw. 纯碳粉和硅粉合成碳化硅 实验步骤如下： （1）纯化高纯石墨坩埚，充分去除吸附气体和杂质元素。 （2）将摩尔比为 1:1 的高纯碳粉和高纯硅粉尽可能地均匀混合后放在高纯坩埚中，将坩埚放置于有旋转台的中频感应加热的生长炉中。坩埚以2 r/min的速度顺时针旋转，使反应更加均匀。 （3）去除生长腔中的氧气和氮气，对生长腔进行抽真空。约40 min~60 min后，温度升高至 1 000 ℃向生长室充入高纯氩气 氩气体积分数 99. 999 % ，加 热至 1 900 ℃～2 050 ℃，控制反应时间5 h～10 h。 （4）1 h ~4 h降温至室温即可得到高纯SiC粉料。 power technologe SiC powders are mainly produced by a carbothermic reaction at temperatures greater than 2200 °C while holding for several days, which is energy intensive and time consuming。 even at 930 °C by CVD or the MBE method on α-SiC substrates, an α-SiC thin film could easily be prepared where the film replicates exactly the polytype of the underlying substrate via a homoepitaxial growth mechanism The molar ratio of Si:C:Al is 1-x:1:x in the final mixtures x 0, 0.05, 0.10, 0.20, and 0.30, the corresponding samples weremarked as A0, A5, A10, A20 and A30, respectively . The as-synthesized products were then heated in air at 700 °C for 2 h to remove the residual carbon, washed in mixed acid molar ratio of HF:HNO3 1:1 to remove the SiO2, cleaned with deionized water and dried at 110 °C in air for further characterization. 在600～1 ,800 ℃下热裂解CH3 -SiH3 已获得产量很高的无定型SiC 微粉,其比表面积为25m2/ g ,杂质总量低于60ppm。