射线探测原理与技术解决方案.pptVIP

时间响应快： 带电粒子在半导体中形成的电离密度要比在气体中形成的电离密度高，大约3个数量级。 所以，当探测高能电子或γ射线时，半导体探测器的尺寸要比气体探测器小得多，因而可以制成高空间分辨、快时间相应的探测器。 线性范围宽： 在很大的能量范围内，探测器输出脉冲幅度与所测射线的能量成正比。 表4.2 不同探测器能量分辨率的比较 放射源 探测器 能量分辨率 241Am-α 5.486MeV PIPS离子注入表面钝化硅半导体探测器 约0.2% 气体探测器 约1% 60Co-γ 1.33MeV 高纯锗半导体探测器 约0.1% NaI（Tl）闪烁探测器 约8% 55Fe-X 5.9keV Si（Li）半导体探测器 约3% 正比计数器（气体） 约17% NaI（Tl）闪烁探测器 约50～60% 电离室成为探测器必须满足的条件： 没有射线穿过灵敏体积时，不产生信号或信号可以忽略； 带电粒子穿过灵敏体积时，在其中产生离子对； 在电场的作用下，离子在漂向两极的过程中没有明显的损失，在回路中形成的信号能代表原初产生的离子对数。 1） 半导体探测器的基本原理： 与气体探测器类似，核辐射在半导体中，每产生一对电子空穴对，平均损失的能量即平均电离能w 硅 锗 对于能量为E的核辐射，半导体探测器输出脉冲幅度： 探测器的结电容 漂移型： 硅锂漂移探测器 锗锂漂