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Wide BandgapSemiconductor-Based Lasers 王伟平 2014/1/9 1-1 Application 彩色激光显示 打印和扫描：快速、高分辨率 存储：CD(780 nm)——AlGaAs基激光器 VCD(635 nm或650 nm)——AlGaInP激光器 DVD(410nm)—— InGaN 激光器 1-2 Optical Storage 提高物镜的数值孔径NA值 容量与光源波长的2次方成反比 光学元部件及光盘片材料的光学透过率等限制 1-3 Difficulties and Breakthroughs 难点 缺乏晶格常数匹配、热胀系数接近的热稳定的衬底材料 p型GaN外延层难以获得 突破 高质量GaN外延层的生长 1986年Amano利用低温生长的AlN或GaN过渡层或成核层,得到表面平坦如镜低剩余载流子浓度、高电子迁移率和高荧光效率的高质量GaN外延层,1991 年首次获得GaN外延层室温光泵浦下的受激发射。 低阻p-GaN 的获得 1989年Amano等人利用低能电子辐照实现了Mg掺杂低阻p型GaN。1991年Nakamura等人在700℃以上无氢的氮气氛中退火 ,也获得了低阻p-GaN。 高质量InGaN外延层的生长 有源层内由 In 组分涨落引起的深局域化能态是发