Crystal orientation of GaN layers.pptVIP

* 宋阳 10300220116 氮化镓晶膜在氧化铝 晶面的生长取向 Crystal orientation of GaN layers on 33333 m-plane sapphire ⅢA族氮化物，特别是氮化镓晶体，在光电应用领域引起了较大的兴趣，比如可以用作多量子阱LED或激光二极管，发射蓝色或绿色波段的光。这些材料大都使用的是在（0001）晶面上生长的氮化镓晶体。然而在极化晶面上生长的结构会由于量子Stark效应导致辐射效率的降低和辐射波长的红移。通过使晶体沿非极性或半极性晶面生长这种效应可被抑制。 以蓝宝石（10-10）晶面为基底即是一种沿半极性晶面生长氮化镓晶体的方法。然而以HVPE (hydride vapour phase epitaxy)法或MOVPE (metal-organic vapour phase epitaxy)法生长出的晶体以（11-22）和（1-10-3）为主要取向，选择哪种取决于生长特别是成核阶段的条件。 这里将针对此问题构建晶体模型，并对两种取向的机理加以解释。 （补充）四轴坐标/密勒-布拉菲指数 六方晶系的晶面和晶向指数表示方法与其他晶系不同。 如果取a1,a2和c为晶轴，六个柱面指数为(100), (010), (1-10) ,(1-00), (01-0), (11-0)，但这种方法确定的晶面指数不能显示出六次对称的特征。因此对六方晶系采用四轴定向法，称为密勒-布拉菲指数。 选取四个坐标轴，其中a1, a2, a3 在同一水平面上，夹角互为120°, c轴与这个平面垂直，晶面指数用(hkil)表示，其中h+k=-I;用该法求出的六个柱面晶面指数为(101-0), (011-0), (1-100), (1-010), (01-10), (11-00)。 样品的HR-XRD结果显示，(11-22)取向方向唯一，且与(0001)面呈58.9°；而(1-10-3)取向有互呈90°的两个方向，分别与(0001)面成约45°和135°，即出现了“孪生”晶面。 氮化镓(11-22)面在氧化铝（10-10）面的晶格失配 氮化镓(1-100)晶向与氧化铝(1-210)晶向的失配率为： 垂直方向上，氧化铝(0001)晶向的周期长度约为氮化镓(-1-123)晶向的两倍。(11-2L)代表的所有半极性晶面失配率可表示为： 图为半个氧化铝晶胞和其上两个氮化镓不完整晶胞 其中，dc’表示如下，与L大小有关： 此图表展示了氮化镓(11-2L)晶面在氧化铝(10-10)晶面上的失配率与L的关系。可以发现，在L=2时晶格失配率达到最低，为-6.3%，即在计算上解释了晶体生长时对(11-22)晶向的偏好。 氮化镓(1-10-3)面在氧化铝（10-10）面的晶格失配 图为半个氧化铝晶胞和其上三个氮化镓不完整晶胞 氮化镓(-1-120)晶向与氧化铝(0001)晶向的失配率为： 垂直方向上，氧化铝(1-210)晶向的周期长度约为氮化镓(-330-2)晶向的四分之三倍。(1-10L)代表的所有半极性晶面失配率可表示为： 其中，dc’表示如下，与L大小有关： 此图表展示了氮化镓(1-10L)晶面在氧化铝(1-210)晶面上的失配率与L的关系。可以发现，在L=3时晶格失配率达到最低，为2.7%，即在计算上解释了晶体生长时对(1-10-3)晶向的偏好。 半极化晶面生长模型 氧化铝基底的结构 氧呈六方密堆积，铝填于2/3的八面体空隙中。a)图为其(10-10)晶面的投影，氧排列呈zigzag状；b)图为其(1-210)晶面的投影，可发现由于一层铝的缺失，其沿(0001)方向呈现以(O-Al-O-Al-O)为周期的排列。 a)氮沉积 b)镓沉积 c)第二层生长 (11-22)氮化镓生长 在(11-22)晶面生长过程中，先是氮负离子沿着氧化铝(0001)方向任意排布，且只排布在基底中铝离子出现的位置；接下来镓离子沉积时会选择排布于两个氮之间，这样就与铝在晶格界面的位置相对应。 (1-10-3)氮化镓生长 a)氮沉积 b)镓沉积 c)第二层生长 而在(1-10-3)晶面生长过程中，氮负离子占据的是基底氧zigzag排布之间的位置，沿(0001)方向形成直线。而镓则会占据两种位置：A种镓排布于两个氮之间并与其沿(0001)方向共同构成zigzag排布；B种镓只连接在一个氮原子上，并沿(1-210)方向成键。A种和B种交替排布（如c图）。 在氮沉积的过程中，氮负离子会占据氧化铝(10-10