第六章 pn结e.ppt

势垒电容的应用 势垒电容的应用 势垒电容的应用 势垒电容的应用 势垒电容的应用 势垒电容的应用 ④扩散电容 pn结加正向偏压时，由于少子注入，在扩散区内，都有一定数量少子和等量多子的积累，其浓度随正向偏压的变化而变化，形成扩散电容。 扩散电容 §4 pn结击穿 现象: 对pn结施加反向偏压时, 当反向偏压增大到某一数值时, 反向电流密度突然开始迅速增大 发生击穿时的反向偏压-- pn结的击穿电压 pn结击穿的基本原因: 载流子数目的突然增加 击穿机理: 雪崩击穿—强电场下的碰撞电离, 使载流子倍增 隧道击穿—大反向偏压下, 隧道贯穿使反向电流急剧增加 热电击穿—不断上升的结温, 使反向饱和电流持续地迅速增大 雪崩击穿 —强电场下的碰撞电离, 使载流子倍增 隧道击穿 —大反向偏压下, 隧道贯穿使反向电流急剧增加 热电击穿 不断上升的结温, 使反向饱和电流持续地迅速增大 pn结的隧道效应 隧道效应—能量低于势垒的粒子有一定的几率穿越势垒. 这是一种量子力学效应 隧穿几率与势垒的高度有关, 与势垒的厚度有关. 隧道二极管—利用量子隧穿现象的器件效应 隧道结— pn结, 两边都是重掺杂(简并情况), 以至在p区, EF进入价带; 在n区, EF进入导带. 结果: ① n区的导带底部与p区的价带顶部在能量上发生交叠 ② 势垒十分薄 电子可以隧道贯穿势垒区. J V Jp Jv Vv Vp 0 5 4 3 2 1 隧道结的I-V特性 隧道结的I-V特性 正向电流一开始就随正向电压的增加而迅速上升,达到一个极大, (峰值电流Ip,峰值电压Vp ) 随后,电压增加,电流反而减少,达到一个极小,(谷值电流Iv,谷值电压Vv) 在Vp到Vv的电压范围内,出现负阻特性. 当电压大于谷值电压后,电流又随电压而上升 在隧道结中,正向电流由两部分组成: 扩散电流,隧道电流 扩散电流:随正向电压增加而指数增加，但在较低正向电压下，扩散电流很小 隧道电流:在较低正向电压下，隧道电流是主要的 分析隧道电流随外加电压变化的情况 0点—平衡pn结 1点—正向电流迅速上升 2点—电流达到峰值 3点—隧道电流减少,出现负阻 4点—隧道电流等于0 5点—反向电流随反向电压的增加而迅速增加 ③大注入情况 　　通常把正向偏压较大时，注入的非平衡少子浓度接近或超过该区多子浓度的情况，称为大注入情况。 以p+n结为例讨论 ⑴ pn结电容的来源 电容效应 pn结有整流效应，但又含破坏整流特性因素---pn结电容 低频电压下， pn结起整流作用 电压频率增高时，整流特性变坏，甚至没有整流效应 讨论pn结的电容特性 势垒电容，扩散电容 §3 pn结电容 ①势垒电容 CT —当pn结上外加电压变化，势垒区的空间电荷相应变化所对应的电容效应. 当pn结上外加的正向电压增加，势垒高度降低?空间电荷减少；…… 当pn结上外加的反向电压增加，势垒高度增加?空间电荷增加；…… 电容效应 ②扩散电容 CD —当pn结上外加电压变化，扩散区的非平衡载流子的积累相应变化所对应的电容效应. 当正向偏置电压增加，扩散区内的非平衡载流子积累很快增加 在反向偏置下，非平衡载流子数变化不大,扩散电容可忽略 pn结的势垒电容和扩散电容都随外加电压而变化 微分电容: C=dQ/dV ⑵突变结的势垒电容 ①突变结的势垒区中电场、电势分布 ②突变结的 势垒宽度XD ③线性缓变结的势垒电容 取VD=0.7V，T=300K Built-in Voltage One-sided Junctions (1)?非平衡状态下的pn结 (2)?理想pn结模型及其电流电压方程 (3)?影响pn结电流电压特性偏离理想方程 的各种因素 §2 pn结的电流电压特性 (1)?非平衡状态下的pn结 ①外加电压下，pn 结势垒的变化及载流子的运动 Depletion region will be larger ②外加直流电压下， pn结的能带图 (2)?理想pn结模型及其电流电压方程 ①理想pn结模型 小注入条件； 突变耗尽层条件； 通过耗尽层的电子和空穴电流为常量，不考虑耗尽层中载流子的产生及复合作用； 玻耳兹曼边界条件 ②理想pn结模型电流电压方程求解 pn结的电流电压特性 定性图象 正向偏压下,势垒降低, 正向电流随正向电压的增加很