第一章习题及答案19071.docVIP

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第一章习题及答案19071

第一章习题 1.设晶格常数为a的一维晶格,导带极小值附近能量Ec k 和价带极大值附近能量EV k 分别为: Ec (1)禁带宽度; (2)导带底电子有效质量; (3)价带顶电子有效质量; (4)价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化 解:(1) 2. 晶格常数为0.25nm的一维晶格,当外加102V/m,107 V/m的电场时,试分别计算电子自能带底运动到能带顶所需的时间。 解:根据: 得 补充题1 分别计算Si(100),(110),(111)面每平方厘米内的原子个数,即原子面密度(提示:先画出各晶面内原子的位置和分布图) Si在(100),(110)和(111)面上的原子分布如图1所示: (a) 100 晶面 (b) 110 晶面 (c) 111 晶面 补充题2 一维晶体的电子能带可写为, 式中a为 晶格常数,试求 (1)布里渊区边界; (2)能带宽度; (3)电子在波矢k状态时的速度; (4)能带底部电子的有效质量; (5)能带顶部空穴的有效质量 解:(1)由 得 (n 0, 1, 2…) 进一步分析 ,E(k)有极大值, 时,E(k)有极小值 所以布里渊区边界为 2 能带宽度为 3)电子在波矢k状态的速度 (4)电子的有效质量 能带底部 所以 5 能带顶部 , 且, 所以能带顶部空穴的有效质量

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