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第二章半导体中杂质和缺陷能级 重点 重要概念：替位式杂质，间隙式杂质，施主杂质及其能级，受主杂质及其能级 半导体缺陷与位错能级的表示 理想半导体： 1）原子严格周期性排列，具有完整的晶格结构。 2）晶体中无杂质，无缺陷。 3）电子在周期场中作共有化运动，形成允带和禁带——电子能量只能处在允带中的能级上，禁带中无能级。 ?本征半导体——晶体具有完整的（完美的）晶格结构，无任何杂质和缺陷。由本征激发提供载流子。 实际半导体： 1、总是有杂质、缺陷，使周期场破坏，在杂质或缺陷周围引起局部性的量子态——对应的能级常常处在禁带中，对半导体的性质起着决定性的影响。 2、杂质电离提供载流子。 3、原子在晶格格点平衡振动 主要内容 2-1 硅锗晶体中的杂质能级 一、杂质存在的方式 1、杂质存在方式 (2) 替位式→杂质占据格点位置。大小接近、电子壳层结构相近 深能级杂质特点： 不容易电离，对载流子浓度影响不大； 一般会产生多重能级，甚至既产生施主能级也产生受主能级。 能起到复合中心作用，使少数载流子寿命降低。 位错 半导体晶体研究 晶体的完整性 位错又可称为差排（英文：dislocation），在材料科学中，指晶体材料的一种内部微观缺陷，即原子的局部不规则排列（晶体学缺陷）。从几何角度看，位错属于一种线缺陷，可视为晶体中已滑移部分与未滑移部分的分界线，其存在对材