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3.1 嵌入式系统的内存 内存 内存是处理器能直接访问的存储器，用来存放系统和用户的程序和数据。 嵌入式系统的主存可位于片内或片外，片内存储器存储容量小、速度快，片外存储器容量大。 可以做主存的存储器有： ROM类：Nor Flash、E2PROM等 RAM类：SRAM、DRAM、SDRAM等 3.1 嵌入式系统的内存 静态随机存取存储器（SRAM） 存储信息：六管基本存储电路 典型芯片规格：2114（1KX4） 6116（2KX8） 6264（8KX8）62128（16KX8）62256（32KX8） 3.1 嵌入式系统的内存 动态随机存取存储器（DRAM） 需要不断刷新（为维持动态存储单元所存储的信息，必须设法使信息再生，这即所谓的刷新） 与SRAM不同的是：为节省外部引脚，同样容量的DRAM外部地址线引脚是SRAM一半 DRAM采用行/列地址选通，将地址通过内部分成两路 3.1 嵌入式系统的内存 SDRAM（Synchronous RAM) CPU和RAM共享相同的时钟周期，以相同的速度同步工作 基于双存储器结构，内含两个交错的存储阵列，读取效率得到成倍提高 是DRAM中速度最快的一种 3.2 嵌入式系统的外存 外存的概念 外存是处理器不能直接访问的存储器，用来存放用户的各种信息，容量大。 在嵌入式系统中常用的外存有： NandFlash DOC（Disk On Chip） CF（Compact Flash） SD（Secure Digital） MMC（Multi MediaCard）等 NandFlash是Flash Memory的一种。 Flash Memory的中文称为快闪存储器或快速擦写存储器。 Flash Memory由Toshiba于1980年申请专利，并在1984年的国际半导体学术会议上首先发表。 目前在Flash Memory技术上主要发展了两种非易失性内存 一种叫NOR（或非），是Intel 于1988年发明的 另一种叫NAND（与非）是Toshiba于1999年发明的。 3.2 嵌入式系统的外存 NandFlash可独立成为外存，也可组成其他各种类型的电子盘如USB盘、CF、SD和MMC存储卡等。 NandFlash强调降低每比特的成本，更高的性能，并且像磁盘一样可以通过接口轻松升级。 NandFlash具有容量大、回写速度快、芯片面积小等特点，主要用于外存。 NOR Flash具有随机存储速度快、电压低、功耗低、稳定性高等特点，主要用于主存。 3.2 嵌入式系统的外存 SD（Secure Digital）卡由松下电器、东芝和SanDisk联合推出，1999年8月首次发布。 2000年2月1日成立了SD协会（SDA），成员公司超过90个，其中包括Hewlett-Packard，IBM，Microsoft，Motorola，NEC、Samsung Electronics，Toyota Motor等巨头。 SDA是开放式的，缴纳1500美元就可以成为一般会员，缴纳4000美元可以成为执行会员。SD存贮卡的详细规范并没有公开，只有SDA会员或签定了保密协议才能获得。 SD卡需付版税 3.2 嵌入式系统的外存 Disk On Chip，简称DOC，是采用NandFlash芯片作为基本存贮单元，外加一些控制芯片及软件，通过特殊的软硬件来操作的一种模块化、系列化的电子存贮装置。 它采用了TrueFFS硬盘仿真技术对Flash进行管理，可以把Flash模拟成为硬盘。 也正是因为采用了TrueFFS技术对数据在Flash中的读写操作进行管理，大大提高了DOC的写操作的次数，远远超过了普通Flash的写寿命，提高了Flash的可靠性。 3.3 输入输出接口--- I2C PHILIPS 开发了一种用于内部IC控制的简单的双向两线串行总线I2C(Inter-Integrated Circuit ) 最高速率100Kbps，25英尺，最多可支持40个设备 3.3 输入输出接口 ISA IBM 公司于1981 年推出的基于8 位机PC/XT 的总线，称为PC 总线。 IBM 公司于1984 年推出了16 位PC 机PC/AT，其总线称为AT 总线。然而IBM 公司从未公布过他们的AT总线规格。 由Intel 公司，IEEE 和EISA 集团联合开发了与IBM/AT 原装机总线意义相近的ISA 总线，即8/16 位的“工业标准结构”(ISA-Industry Standard Architecture)总线。 6.66MHZ至26.66MHZ ，典型8MHz EISA总线，32位 PC104 PC104是一种专门为嵌入式控制而定义的工业控制总线，实质上就是一种紧凑型的IEEE-P996（ISA）。 PC104 有两