原创力文档- 1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
- 2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击 这里二次下载。
- 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
example2
输出特性 浮体效应 阈值电压 自加热效应 影响自加热效应的因素：载流子迁移率 影响自加热效应的因素：载流子饱和速率 温度对泄漏电流的影响 温度对泄漏电流的影响 温度对电压传输特性的影响 温度对瞬态特性的影响 隐埋氧化层厚度优化 顶层Si膜厚度优化 源漏区搀杂浓度优化 Lc对器件特性的影响 开口位置对器件特性的影响 开口位置对器件特性的影响 开口位置对器件特性的影响 Lc对器件特性的影响 Lc对器件特性的影响 Lc=0.18 ?m Lc=0.18?m Lc=0.20 ?m Lc=0.18 ?m Lc=0.18 ?m Lc=0.18 ?m 三种SOI结构的特性比较 Lc对器件特性的影响 * * （a） (b) 图2 全耗尽 SOI NMOS管(a)和PMOS管(b)的输出特性曲线 图3 T=400K时空穴浓度分布情况 N管 图4 SOI NMOS和SOI PMOS的Vth随温度变化曲线 图5 T=400K时eTemperature分布情况 N管 图6 电子迁移率受温度的影响情况 N管 图7 不同温度时eMobility在顶层硅膜内的分布情况 N管 图8 电子饱和速率受温度的影响情况 N管 (a) (b) 图11 全耗尽 SOI NMOS管（a)和PMOS管(b)的亚阈值特性曲线 图12 空穴浓度随温度的变化情况 N管 图13 不同温度下的电压传输特性曲线 图14 不同温度下的倒相器瞬态特性曲线 图15 不同埋氧厚度下N管内部晶格温度分布情况 N管 图16 不同Si厚度下N管内部晶格温度分布情况 N管 N管 图17 不同源漏区掺杂下N管内部晶格温度分布情况 图19 T=400K时N沟DSOI MOSFET中空穴电流密度分布情况 开口位置的影响 N管 图20 不同开口位置下DSOI和SOI NMOS的输出特性对比 （a）T=400K （b）T=500K 图21 不同开口位置时DSOI NMOS管中晶格温度分布情况 （a）T=400K （b）T=500K 图22 不同开口位置时DSOI NMOS管中空穴电流密度分布情况 图23 不同开口位置下DSOI NMOS管的电子迁移率随温度的变化 开口大小的影响 N管 图24 不同开口大小下DSOI和SOI NMOS的输出特性对比 当Lc=0.18 ?m，且开口位置在沟道正下方时，器件受温度的影响最小。 图25 不同温度下DSOI和SOI NMOS管中晶格温度分布情况 （a）T=400K （b）T=500K （a）T=400K （b）T=500K 图26 不同温度下DSOI和SOI NMOS管中空穴电流密度分布情况 （a）T=400K （b）T=500K 图27 不同温度下DSOI和SOI NMOS管中电子电流密度分布情况 图28 不同温度下DSOI NMOS管 中电子迁移率分布情况 图29 不同温度下SOI NMOS管 中电子迁移率分布情况 N管 图30 不同温度下DSOI电压传输特性曲线 图31 不同温度下DSOI瞬态特性 图33 NMOS管输出特性 图34 倒相器电压传输特性 图35 倒相器瞬态特性
文档评论（0）