半导体器件物理TFT.pptxVIP

第六章 薄膜晶体管（TFT）主要内容（1）TFT的发展历程（2）TFT的种类、结构及工作原理（3）p-si TFT的电特性（4）p-si TFT的制备技术（5）TFT的应用前景TFT的发展历程TFT与MOSFET的发明同步，然而TFT发展速度及应用远不及MOSFET?!（1）1934年第一个TFT的发明专利问世-----设想.（2）TFT的真正开始----1962年，由Weimer第一次实现. 特点：器件采用顶栅结构，半导体活性层为CdS薄膜.栅介质层为SiO,除栅介质层外都采用蒸镀技术. 器件参数：跨导gm=25 mA/V,载流子迁移率150 cm2/vs,最大振荡频率为20 MHz.CdSe----迁移率达200 cm2/vsTFT的发展历程（3）1962年，第一个MOSFET实验室实现.（4）1973年，实现第一个CdSe　TFT-LCD(6*6)显示屏.-----TFT的迁移率20 cm2/vs,Ioff=100 nA.之后几年下降到1 nA.（5）1975年，实现了基于非晶硅-TFT.随后实现驱动LCD显示.----迁移率＜1 cm2/vs,但空气（H2O,O2)中相对稳定.（6）80年代,基于CdSe,非晶硅 TFT研究继续推进.另外，实现了基于多晶硅TFT，并通过工艺改进电子迁移率从50提升至400.---当时p-SiTFT制备需要高温沉积或高温退火.---a-Si TFT因低温、低成本，成为LCD有源驱动的主流.TFT的发展历程（7）90年代后，继续改进a-Si,p-Si TFT的性能，特别关注低温多晶硅TFT制备技术.----非晶硅固相晶化技术.有机TFT、氧化物TFT亦成为研究热点.---有机TFT具有柔性可弯曲、大面积等优势.低成本、大面积沉膜低载流子迁移率TFT发展过程中遭遇的关键技术问题？低温高性能半导体薄膜技术稳定性和可靠性挑战：在玻璃或塑料基底上生长出单晶半导体薄膜！TFT的种类按采用半导体材料不同分为：硅基:非晶Si-TFT,多晶硅-TFT化合物:CdS-TFT,CdSe-TFT无机TFT氧化物:ZnO-TFT基于小分子TFT有机TFT基于高分子聚合物TFT无/有机复合型TFT：采用无机纳米颗粒与聚合物共混　　制备半导体活性层TFT的常用器件结构薄膜晶体管的器件结构双栅薄膜晶体管结构TFT的工作原理一、MOS晶体管工作原理回顾当|VGS||VT|,导电沟道形成.此时当VDS存在时，则形成IDS.对于恒定的VDS,VGS越大,则沟道中的可动载流子就越多,沟道电阻就越小,ID就越大.即栅电压控制漏电流.对于恒定的VGS,当VDS增大时，沟道厚度从源极到漏极逐渐变薄,　引起沟道电阻增加,导致IDS增加变缓.当VDS＞VDsat时,漏极被夹断,而后VDS增大，IDS达到饱和.TFT的工作原理工作于积累状态下原理示意图工作原理：与MOSFET相似,TFT也是通过栅电压来调节沟道电阻，从而实现对漏极电流的有效控制.与MOSFET不同的是：MOSFET通常工作强反型状态,而TFT根据半导体活性层种类不同,工作状态有两种模式：　对于a-Si TFT、OTFT、氧化物TFT通常工作于积累状态. 对于p-Si TFT工作于强反型状态.TFT的I-V描述在线性区,沟道区栅诱导电荷可表示为…….（1）在忽略扩散电流情况下，漏极电流由漂移电流形成，可表示为…….（2）(1)代入(2)，积分可得：…….（3）当VdVg时,(3)式简化为在饱和区(VdVg-Vth),将Vd＝Vg-Vth代入(3)式可得：…….（4）p-Si TFT的电特性1. TFT电特性测试装置高掺杂p-Sip-Si2. p-Si TFF器件典型的输出和转移特性曲线转移特性反映TFT的开关特性,VG对ID的控制能力.输出特性反映TFT的饱和行为.特性参数：迁移率、开关电流比、关态电流、阈值电压、跨导3. p-Si TFF中的Kink 效应机理: 高VD （VDVDsat）时,夹断区因强电场引起碰撞电离所致. 此时ID电流可表示为:为碰撞电离产生率,与电场相关,类似于pn结的雪崩击穿.4. Gate-bias Stress Effect (栅偏压应力效应）正栅压应力负栅压应力现象1：阈值电压漂移. 负栅压应力向正方向漂移,正栅压应力向负方向漂移.产生机理：可动离子漂移.负栅压应力正栅压应力现象2：亚阈值摆幅(S)增大. 机理：应力过程弱Si-Si断裂,诱导缺陷产生.5. p-Si TFF C-V特性下图为不同沟长TFT在应力前后的C-V特性自热应力BTS(bias temperature stress)：VG=VD=30 V, T=55 oC;应力作用产生缺陷态，引起C-V曲线漂移.6. p-Si TFF的改性技术（1）非晶硅薄膜晶化技术-----更低