半导体器件物理-MOSFET.pptVIP

* XIDIAN UNIVERSITY 4.0 MOS电容 功函数差:MOS接触前的能带图 金属的功函数 金属的费米能级 硅的电子亲和能 功函数：起始能量等于EF的电子，由材料内部逸出体外到真空所 需最小能量。 金属的功函数： 半导体的功函数 金半功函数差（电势表示） * XIDIAN UNIVERSITY 4.0 MOS电容 功函数差:MOS结构的能带图 条件：零栅压， 热平衡 接触之后能带图的变化： MOS成为统一系统， 0栅压下热平衡状态有统一的EF SiO2的能带倾斜 半导体一侧能带弯曲 原因：金属半导体Φms不为0 零栅压下氧化物二侧的电势差 零栅压下半导体的表面势 * XIDIAN UNIVERSITY 4.0 MOS电容 平带电压 氧化层中存在的正电荷 可动电荷：工艺引入的金属离子 陷阱电荷：辐照 界面态：SiSio2界面Si禁带中的能级 氧化层中SiSio2界面存在的正的固定电荷 氧化层内的所有正电荷总的面电荷密度 用QSS`等效， 位置上靠近氧化层和半导体界面 * XIDIAN UNIVERSITY 4.0 MOS电容 平带电压 QSS`对MOS系统的影响 正 Qss`在M和S表面感应出负电荷 S表面出现负电荷（耗尽的Na- 、电子），能带下弯，P衬表面 向耗尽、反型过渡 若? ms 0，因Q`ss0，则VFB0, 如果没有功函数差及氧化层电荷,平带电压为多少? 平带电压VFB ：使半导体表面能带无弯 曲需施加的栅电压, 抵消金属与半导体之间的功函数差和 氧化层正电荷对半导体表面的影响 4.0 MOS电容 平带电压 XIDIAN UNIVERSITY 4.0 MOS电容 阈值电压:定义 * XIDIAN UNIVERSITY 阈值电压：半导体表面达到阈值反型点时所需的栅压VG， VT：VTN,VTP 半导体表面强反型，可认为MOSFET沟道形成 VGVTN： Φs2Φfp，衬底表面未强反型，沟道未形成 VG=VTN：Φs=2Φfp，衬底表面强反型，沟道形成 表面势=费米势的2倍 XIDIAN UNIVERSITY * XIDIAN UNIVERSITY 4.0 MOS电容 阈值电压:公式推导 功函数差Vox0+?s0=- ? ms |QSDmax|=e NaXdT XIDIAN UNIVERSITY * 4.0 MOS电容 阈值电压影响因素:栅电容 COX影响：COX越大，则VTN越小； 物理过程：COX越大，同样VG在半导体表面感应的电荷越多， 达到阈值反型点所需VG越小，易反型。 COX提高途径： 45nm工艺前，减薄栅氧化层厚度; 45nm工艺后，选择介电常数大的绝缘介质 XIDIAN UNIVERSITY * XIDIAN UNIVERSITY 4.0 MOS电容 阈值电压影响因素:掺杂浓度 |QSDmax|=e NaXdT Na影响：Na越小，则VTN越小； 物理过程：Na越小，达到反型所需耗尽的多子越少， QSDmax越小，半导体表面易反型。 问题：假定半导体非均匀掺杂，影响VT的是哪部分半导体的浓度？ 氧化层下方的半导体掺杂浓度影响VT 可通过离子注入改变半导体表面的掺杂浓度，调整VT。 * XIDIAN UNIVERSITY 4.0 MOS电容 阈值电压影响因素:氧化层电荷 QSS`影响：QSS`越大，则VTN越小；物理过程：QSS`越大， 其在半导体表面感应出的负电荷越多，达到反型所需栅 压越小，易反型 注意：QSS`对VT影响的大小与衬底掺杂浓度有关 ，Na 越大，QSS`的影响越小。 * XIDIAN UNIVERSITY 4.0 MOS电容 阈值电压影响因素:功函数差 影响： 越负，则VTN越小； 物理过程： 越负，往半导体表面转移的负电荷越多， 达到反型所需栅压越小，易反型 P衬配N+多晶硅栅, ＜0 思考：N衬P沟， 越正，易反型？ N衬配P+多晶硅栅, ＞ 0 * XIDIAN UNIVERSITY END * * * * * *